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公开(公告)号：CN110600467A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910965446.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
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公开(公告)号：CN110556416A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910966060.1
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法，包括包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离trench，本发提出的器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109119381A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810887472.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L23/29
Abstract: 本发明公开了一种提高N衬底单向负阻型TVS芯片封装良率的胶水，其成分配比如下：银粉70-85wt％；改性环氧树脂7.5-15wt％；碳酸酯7.5-15wt％。本发明开发的新型胶水具有阻抗更小、散热更好、流通性更低的优点，同时采用刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险，避免了浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性，同时大大提升了封装极限能力，能够达到芯片版面与载体尺寸比例为1：1的水平，使得产品具有超低的正负向残压，能够超越目前市面上的所有同类产品。
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公开(公告)号：CN108922920A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810886804.4
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/285 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L21/2855 , H01L29/0684 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本发明通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108922885A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810885772.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H01L29/8611
Abstract: 本发明公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本发明通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108417613A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710346858.7
申请日：2017-05-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0688 , H01L29/66136
Abstract: 本发明公开了一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出；所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域间距大于等于零。本发明的器件结构对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能，由于N+浓度较低使其具有超低的电容，这大大提高了TVS器件对信号的响应速度，可以应用在保护高频数据接口电路上。该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和散热优势明显。
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公开(公告)号：CN108039347A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201810045162.5
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明公开了一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，采用芯片集成的设计方法将超低电容且具有大骤回特性的TVS和共模电感有效结合。本发明的集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件结构可以有效的将多路TVS和共模滤波器分立方案优化为集成方案，节省50％的面积；共模电感具有较高的共模阻抗，对高速信号线差分通道的共模噪声干扰具有很强的抑制作用，同时，超低电容和大骤回特性的TVS阵列在ESD触发TVS开通时，可以输出更低的钳位电压，对后级IC起到非常好的保护作用，可广泛应用在MIPI，HDMI，MHL，USB等高频信号端口，提高系统的外延抗干扰能力和ESD静电防护水平。
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公开(公告)号：CN109509749A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811283080.0
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本发明的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
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公开(公告)号：CN108039348A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201810045594.6
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/0255
Abstract: 本发明公开了一种可实现高耐压的ESD保护器件，其特征在于：包括衬底、第一外延层、埋层注入、第二外延层、第二外延层的掺杂区，以及穿过第一外延层和第二外延层到达衬底的深槽，器件正面开孔溅射金属形成正面电极，器件背面衬底减薄后蒸发金属形成背面电极。本发明公开的器件结构简单可实行，能制作小型化便携式产品，克服了现有高压台面工艺器件尺寸偏大及普通纵向NPN/PNP结构存在穿通Punch Through难以实现高耐压的缺点，从而被广泛应用到消费电子、工业控制和汽车电子等系统中的高压ESD防护。
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公开(公告)号：CN108022912A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201810044594.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
CPC classification number: H01L23/60 , H01L29/742
Abstract: 本发明提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了双向三极管器件和双向SCR器件，两种器件以并联方式连接在被保护的端口之间。本发明所形成的双向SCR器件结构简单，工艺层次少，可集成在CMOS工艺、BICMOS工艺、BCD工艺中；可通过调整关键注入区的浓度获得较低的完全对称的双向触发电压；所形成的双向半导体器件从输入端到输出端存在两条泄放大电流的路径，在相同的面积下提高了器件的抗浪涌能力。
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