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公开(公告)号:CN115347136A
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202210204912.5
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法,将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中,制备混合溶液,在不低于60℃加热搅拌至少4h,得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液,过滤后氮气环境保存以备使用;然从下而上首先是采用基底,在所述基底上设有ITO阳极;在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极,得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯,TFA‑中的C=O可以与晶界处未配位的Pb2+结合,抑制离子迁移,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号:CN115347136B
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202210204912.5
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法,将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中,制备混合溶液,在不低于60℃加热搅拌至少4h,得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液,过滤后氮气环境保存以备使用;然从下而上首先是采用基底,在所述基底上设有ITO阳极;在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极,得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯,TFA‑中的C=O可以与晶界处未配位的Pb2+结合,抑制离子迁移,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号:CN114864840B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202210204873.9
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H10K50/844 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法,包括如下步骤:制备钝化剂TMBBr、制备TMB2PbBr4溶液、合成CsPbBr3粉末、制备准二维蓝光钙钛矿PEAxPA2‑x(CsPbBr3)n‑1PbBr4:TMBBr前驱体溶液、制备三维混卤素钙钛矿发光二极管器件。本分引用双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺钠作为氧化镍(NiOx)的界面修饰层,通过在准二维钙钛矿前驱体溶液中引入4‑(三氟甲基)苯甲酰胺氢溴酸盐,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号:CN114864840A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210204873.9
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法,包括如下步骤:制备钝化剂TMBBr、制备TMB2PbBr4溶液、合成CsPbBr3粉末、制备准二维蓝光钙钛矿PEAxPA2‑x(CsPbBr3)n‑1PbBr4:TMBBr前驱体溶液、制备三维混卤素钙钛矿发光二极管器件。本分引用双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺钠作为氧化镍(NiOx)的界面修饰层,通过在准二维钙钛矿前驱体溶液中引入4‑(三氟甲基)苯甲酰胺氢溴酸盐,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号:CN114824113A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210203744.8
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿‑有机杂化叠层发光二极管及其制备方法,从上而下依次设置负极、第一电子注入层、第一电子传输层、有机发光层、第一空穴传输层、电荷产生单元、第二电子传输层、钙钛矿发光层、第二空穴传输层、正极,所述的电荷产生单元具体为:空穴注入层、空穴产生层、电子产生层、第二电子注入层。本发明制备方法分别采用超声清洗法、溶液旋涂法、真空蒸镀法制备各功能层。本发明通过设计性能高效的电荷产生单元将钙钛矿发光二极管和有机发光二极管串联,利用叠层结构设计以综合两者的优势,改善有机LED的电致发光光谱宽化和钙钛矿LED寿命短的问题。
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公开(公告)号:CN114784214A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210203960.2
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法,包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极,组成钙钛矿发光二极管的器件结构,取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液,转移到空穴传输层上,制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂,沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层,构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号:CN110299459B
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN201910514252.9
申请日:2019-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法,发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组,由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构,对白光LED发光模组进行包覆,反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光,并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光,通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好,发光效率高,所得到的白光LED工艺简单,环境友好,易于工业化生产。
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公开(公告)号:CN110299459A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910514252.9
申请日:2019-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法,发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组,由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构,对白光LED发光模组进行包覆,反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光,并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光,通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好,发光效率高,所得到的白光LED工艺简单,环境友好,易于工业化生产。
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