公开(公告)号：CN100576565C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610106399.7

申请日：2006-07-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 栉山和成 ,  冈田哲也 ,  及川慎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。目前，使1层金属电极层与元件区域接触，在该金属电极层上固着接合引线。要降低装置的接通电阻，期望加厚金属电极层的膜厚，但图案形成的精度有限。另外，当采用Au细线作接合引线时，随时间的推移，形成Au/Al共晶层，出现元件区域的层间绝缘膜给以压力的问题。金属电极层为2层。第一电极层如目前以与元件区域吻合的微细的间隔距离形成图案。另一方面，第二电极层只要与第一电极层接触即可，即使间隔距离加宽也没有问题。即，可以使第二电极层形成所希望的膜厚。另外，通过在引线接合区域下方的第一电极层上配置氮化膜，从而即使因Au/Al共晶层引起体积膨胀的情况下，也可以防止其应力传递到元件区域。

公开(公告)号：CN1909246A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610106399.7

申请日：2006-07-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 栉山和成 ,  冈田哲也 ,  及川慎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。目前，使1层金属电极层与元件区域接触，在该金属电极层上固着接合引线。要降低装置的接通电阻，期望加厚金属电极层的膜厚，但图案形成的精度有限。另外，当采用Au细线作接合引线时，随时间的推移，形成Au/Al共晶层，出现元件区域的层间绝缘膜给以压力的问题。金属电极层为2层。第一电极层如目前以与元件区域吻合的微细的间隔距离形成图案。另一方面，第二电极层只要与第一电极层接触即可，即使间隔距离加宽也没有问题。即，可以使第二电极层形成所希望的膜厚。另外，通过在引线接合区域下方的第一电极层上配置氮化膜，从而即使因Au/Al共晶层引起体积膨胀的情况下，也可以防止其应力传递到元件区域。

公开(公告)号：CN1822394A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610006390.9

申请日：2006-01-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  及川慎 ,  冈田喜久雄 ,  宫原正二 ,  落合直弘 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。

公开(公告)号：CN1254867C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02143281.3

申请日：2002-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 及川慎 ,  江藤弘树 ,  久保博稔 ,  宫原正二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在目前的功率MOSFET中，在实际工作区域最外周的栅极底部产生电场集中，招致漏极-源极(或集电极-发射极)间耐压恶化。本发明通过使实际工作区域最外周的沟道比实际工作区域的沟道浅。可缓和在实际工作区域最外周的栅极底部的电场集中，能够抑制漏极-源极(或集电极-发射极)间的耐压恶化，而且通过使最外周的沟道开口部变窄，可在同一工序形成深度不同的沟道。