公开(公告)号：CN105185712A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510220856.4

申请日：2015-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布雷多维克 ,  R.C.鲍恩 ,  M.S.罗德

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法。提供形成鳍式FET的方法。所述方法可包括：在基底上形成包括铟(In)的鳍状沟道区，在所述基底上形成邻近于所述沟道区的深源/漏区，以及在所述沟道区和所述深源/漏区之间形成源/漏延伸区。所述源/漏延伸区的相反的侧壁可分别接触所述沟道区和所述深源/漏区，和所述源/漏延伸区可包括InyGa1-yAs，和y在约0.3-约0.5的范围内。

公开(公告)号：CN111106091B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201910987642.8

申请日：2019-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪俊顾 ,  H.西姆卡 ,  M.S.罗德

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及制造其的方法。在制造半导体器件的方法中，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成穿过绝缘层的通路以暴露第一导电层；在通路的底部上形成自组装单层(SAM)；在通路的侧壁处形成阻挡层；去除通路的底部上的SAM；以及在阻挡层和通路的底部上形成第二导电层，使得第一导电层电连接到第二导电层而在通路的底部处在第一导电层和第二导电层之间没有阻挡层。

公开(公告)号：CN111081776A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910993036.7

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪俊顾 ,  B.J.奥布拉多维克 ,  徐康一 ,  M.S.罗德

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN104517810B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201410521278.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： W-E.王 ,  M.S.罗德 ,  R.C.伯温

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供了形成半导体图案和半导体层的方法。所述方法可包括：在衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层和衬底内形成凹部。所述方法可以进一步包括在凹部内形成外延生长的半导体图案，该半导体图案接触衬底的在氧化物层和衬底之间的界面处的侧壁，并且限定衬底内的凹部中的空隙的上表面。

公开(公告)号：CN104517810A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410521278.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： W-E.王 ,  M.S.罗德 ,  R.C.伯温

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供了形成半导体图案和半导体层的方法。所述方法可包括：在衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层和衬底内形成凹部。所述方法可以进一步包括在凹部内形成外延生长的半导体图案，该半导体图案接触衬底的在氧化物层和衬底之间的界面处的侧壁，并且限定衬底内的凹部中的空隙的上表面。