公开(公告)号：CN108257893B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。

公开(公告)号：CN112071770A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010268743.2

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳权 ,  朴相真 ,  高镛璿 ,  S·田 ,  郑志薰 ,  洪晟植

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。

公开(公告)号：CN110060942A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN104051299B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN107689374A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710600268.2

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  高镛璿 ,  黄寅奭

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。

公开(公告)号：CN103151285A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524045.X

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN108538810B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201710888495.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  权奇相 ,  白在职 ,  高镛璿 ,  李光旭

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

公开(公告)号：CN111341691A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201910776613.7

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  李丞浩 ,  崔辅友 ,  高镛璿 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/67 ,  B23K26/362

Abstract: 一种基板处理装置包括：旋转卡盘，其上安装有基板，所述旋转卡盘旋转所述基板；化学液体喷嘴和去离子水喷嘴中的至少一个，化学液体喷嘴配置为向基板的表面提供化学液体，去离子水喷嘴配置为向基板的表面提供去离子水；以及激光设备，配置为发射周期为10-9秒或更短的脉冲波激光束以蚀刻基板的边缘。

公开(公告)号：CN108538810A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710888495.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  权奇相 ,  白在职 ,  高镛璿 ,  李光旭

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L23/53204 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

公开(公告)号：CN107170700A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。