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公开(公告)号：CN1500908A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02160604.8
申请日：2002-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明公开了一种磁控管溅镀装置和方法。在所述磁控管溅镀装置中，真空室包括一个放电气体入口和一个放电气体出口。真空室中设有基板支撑器。磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和固装于靶电极背部的磁控管，磁路单元与基板支撑器相对设置，并且绕着基板支撑器的中心轴旋转。驱动单元使磁路单元旋转，并调整靶电极和基板支撑器中心之间的距离。因此，可以提高薄膜的均匀度和阶梯覆盖度。
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公开(公告)号：CN102054886A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010180986.7
申请日：2010-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0264 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L31/02167 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基底，包括p型层和n型层；介电层，设置在半导体基底上并且包括由下面的化学式1表示的硅酸盐；第一电极，与半导体基底的p型层电连接；第二电极，与半导体基底的n型层电连接。化学式1x M2O3·y SiO2其中，M为第13族元素且x和y为实数，0＜2x＜y且x+y＝1。
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公开(公告)号：CN1574199A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410042163.2
申请日：2004-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 , 瑟吉·Y·纳瓦拉 , 马东俊 , 金大一
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。
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公开(公告)号：CN1525519A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410005986.8
申请日：2004-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 瑟吉·Y·纳瓦拉 , 尤里·N·托尔马彻夫 , 马东俊 , 金泰完
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明提供一种磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的溅射装置。磁控管阴极包括三个或更多个磁铁单元，各磁铁单元包括单个磁铁或多个磁铁，这些磁铁的同一磁极朝向同一方向，其中一个磁铁单元围绕另一磁铁单元的外围设置，相邻的磁铁单元的相反磁极朝向同一方向。获得了均匀的磁场分布。因此，靶的腐蚀轮廓宽并且均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1501435A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03139091.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 瑟吉·Y·纳瓦拉
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。
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公开(公告)号：CN101834188A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010176927.2
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有垂直折叠结构的非易失性存储器件和制造该非易失性存储器件的方法。半导体结构包括基本上垂直的第一部分和第二部分。多个存储单元沿半导体结构的第一部分和第二部分布置并串联连接。
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公开(公告)号：CN100423196C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410089772.3
申请日：2004-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给RF功率的RF电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。
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公开(公告)号：CN100394535C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410042163.2
申请日：2004-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 , 瑟吉·Y·纳瓦拉 , 马东俊 , 金大一
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。
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公开(公告)号：CN1426090A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02127324.3
申请日：2002-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马加夫 , 马东俊 , 文昌郁 , 尹惠荣
IPC: H01L21/205 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32357
Abstract: 提供一种感应耦合式等离子体装置，此感应耦合式等离子体装置包括一处理腔室、一顶部等离子体源腔室、一反应器、一感应器、一开孔和一挡板。处理腔室具有一晶片基座，上面装设一基底。顶部等离子体源腔室装设在处理腔室。反应器装设在顶部等离子体源腔室之中；具有一通道，一种气体流经此通道；以及把等离子体各反应产物供给处理腔室。感应器装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕反应器。开孔设置在其中装设感应器的、反应器周边空间与处理腔室之间。挡板可开启和关闭开孔。因而，可以改进发自一等离子体源的各种自由基的均匀径向分布。
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