公开(公告)号：CN1619011A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410068244.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟格里·Y·纳瓦拉 ,  金大一

IPC: C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，面朝基体保持器，向处理腔内提供沉积在基体上的材料；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体，其一端是接地的，另一端电开放；和一个射频发生器，提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作，并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的，可以获得很高的沉积材料电离效率。

公开(公告)号：CN1652661A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410078689.6

申请日：2004-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  金大一 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32247 ,  H01J37/32192

Abstract: 提供了一种使用多路端部开口的空腔谐振器的微波等离子体产生设备，以及包括该微波等离子体产生设备的等离子体处理设备。该等离子处理设备包括：用于形成处理室的容器，用于支撑材料使其在处理室中被处理的支撑部件，在处理室的上部形成的介电窗，将处理气体注入处理室的气体供应部件，以及通过介电窗供应微波的包含多个谐振器的微波供应部件。

公开(公告)号：CN1614746A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410089772.3

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大一 ,  马东俊 ,  金国闰 ,  崔圣圭

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给RF功率的RF电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。

公开(公告)号：CN1574199A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042163.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金大一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。

公开(公告)号：CN100423196C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410089772.3

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大一 ,  马东俊 ,  金国闰 ,  崔圣圭

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给RF功率的RF电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。

公开(公告)号：CN100394535C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410042163.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金大一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。