公开(公告)号：CN100394535C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410042163.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金大一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。

公开(公告)号：CN1652661A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410078689.6

申请日：2004-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  金大一 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32247 ,  H01J37/32192

Abstract: 提供了一种使用多路端部开口的空腔谐振器的微波等离子体产生设备，以及包括该微波等离子体产生设备的等离子体处理设备。该等离子处理设备包括：用于形成处理室的容器，用于支撑材料使其在处理室中被处理的支撑部件，在处理室的上部形成的介电窗，将处理气体注入处理室的气体供应部件，以及通过介电窗供应微波的包含多个谐振器的微波供应部件。

公开(公告)号：CN100336165C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03139091.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。

公开(公告)号：CN1500908A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02160604.8

申请日：2002-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金泰完

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明公开了一种磁控管溅镀装置和方法。在所述磁控管溅镀装置中，真空室包括一个放电气体入口和一个放电气体出口。真空室中设有基板支撑器。磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和固装于靶电极背部的磁控管，磁路单元与基板支撑器相对设置，并且绕着基板支撑器的中心轴旋转。驱动单元使磁路单元旋转，并调整靶电极和基板支撑器中心之间的距离。因此，可以提高薄膜的均匀度和阶梯覆盖度。

公开(公告)号：CN1574199A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042163.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  马东俊 ,  金大一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。

公开(公告)号：CN1525519A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410005986.8

申请日：2004-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 瑟吉·Y·纳瓦拉 ,  尤里·N·托尔马彻夫 ,  马东俊 ,  金泰完

IPC: H01J23/05 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明提供一种磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的溅射装置。磁控管阴极包括三个或更多个磁铁单元，各磁铁单元包括单个磁铁或多个磁铁，这些磁铁的同一磁极朝向同一方向，其中一个磁铁单元围绕另一磁铁单元的外围设置，相邻的磁铁单元的相反磁极朝向同一方向。获得了均匀的磁场分布。因此，靶的腐蚀轮廓宽并且均匀。

公开(公告)号：CN1501435A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03139091.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  尤里·N·托尔马切夫 ,  马东俊 ,  瑟吉·Y·纳瓦拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。