公开(公告)号：CN111128666A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。

公开(公告)号：CN115206762A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210371327.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  金教赫 ,  金泰和 ,  朴海重 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于等离子体蚀刻的装置，该装置具有：静电卡盘，包括基层、接合层、吸附层以及边缘环，该吸附层包括在接合层上并与衬底的下表面接触的多个突起，该边缘环与衬底的横向表面间隔开并围绕衬底的横向表面；多个冷却剂供应器，在多个突起之间注入冷却剂；多个管道，将冷却剂供应给多个冷却剂供应器以使冷却剂沿预定方向循环；冷却设备，其中等离子体蚀刻工艺包括第一操作和第二操作，其中注入冷却剂以使静电卡盘在第一操作期间达到第一温度，并在第二操作期间达到第二温度；以及控制器，控制与多个管道连接的阀门以确定冷却剂的循环方向。

公开(公告)号：CN111834189A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010074502.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  宋仁哲 ,  尹洪珉 ,  林智贤 ,  友安昌幸 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

公开(公告)号：CN110277295A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910109891.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  崔日燮 ,  朴珍永 ,  朴赞训 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  严正焕 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。