公开(公告)号：CN111106110A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911020854.5

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 雷维基·森古普塔 ,  洪俊九 ,  麦克·罗德尔 ,  瓦西里欧斯 ,  康斯坦提诺斯·吉劳西

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一些示例性实施例，一种半导体装置包括：基底；位于所述基底上的第一半导体层，所述第一半导体层是第一类型的半导体装置；以及位于所述基底及所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层是所述第一类型的半导体装置，其中当在垂直于所述基底的平面的方向上观察时，所述第一半导体层的第一部分与所述第二半导体层重叠，并且当在垂直于所述基底的所述平面的所述方向上观察时，所述第一半导体层的第二部分从所述第二半导体层横向偏移。本公开的半导体装置可具有高密度的电子组件。

公开(公告)号：CN109979938A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811494404.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·奧布拉多维奇 ,  达尔门达·帕勒 ,  雷维基·森古普塔 ,  穆罕默德·阿里·普尔卡迪里

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上。介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。

公开(公告)号：CN109801871A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811214815.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 麦克·史帝芬·罗德尔 ,  雷维基·森古普塔 ,  洪俊九 ,  提塔许·瑞许特

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路以及制造所述集成电路的方法。所述集成电路包括一系列场效应晶体管。每一场效应晶体管包括：源极区；漏极区；沟道区，在源极区与漏极区之间延伸；栅极，位于沟道区上；栅极接触件，在栅极的有源区处位于栅极上；源极接触件，位于源极区上；以及漏极接触件，位于漏极区上。源极接触件的上表面及漏极接触件的上表面在栅极的上表面下间隔开一深度。