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公开(公告)号：CN111106110A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911020854.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 雷维基·森古普塔 , 洪俊九 , 麦克·罗德尔 , 瓦西里欧斯 , 康斯坦提诺斯·吉劳西
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一些示例性实施例，一种半导体装置包括：基底；位于所述基底上的第一半导体层，所述第一半导体层是第一类型的半导体装置；以及位于所述基底及所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层是所述第一类型的半导体装置，其中当在垂直于所述基底的平面的方向上观察时，所述第一半导体层的第一部分与所述第二半导体层重叠，并且当在垂直于所述基底的所述平面的所述方向上观察时，所述第一半导体层的第二部分从所述第二半导体层横向偏移。本公开的半导体装置可具有高密度的电子组件。
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