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公开(公告)号：CN102298966B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201110144117.3
申请日：2011-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金武星
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459
Abstract: 本申请给出了非易失性存储器设备、存储系统和操作非易失性存储器设备的相关方法。在编程操作期间，非易失性存储器设备能够使用位线强制，并且还能够基于所评估的编程条件，从一组验证模式中选择验证模式以便在验证操作期间使用。
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公开(公告)号：CN103456361A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310206487.4
申请日：2013-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G06F11/1048 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/02 , G11C16/0483 , G11C16/3413 , G11C16/3436 , G11C16/3454 , G11C29/04 , G11C2029/0411 , G11C2211/5621
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括：识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。
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公开(公告)号：CN102543186A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110430447.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/3459 , G11C2211/5641
Abstract: 一种负电压生成器包括：直流电压生成器，其被配置成生成直流电压；参考电压生成器，其被配置成生成参考电压；振荡器，其被配置成生成振荡时钟；电荷泵，其被配置成响应于泵时钟生成负电压；以及电压检测器。该电压检测器被配置成通过比较分压电压和参考电压来检测负电压，并基于振荡时钟生成与检测的负电压相对应的泵时钟，其中该分压电压是通过对所述直流电压分压得到的。
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公开(公告)号：CN109273028B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810784989.8
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137175A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211443140.7
申请日：2022-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了页缓冲器电路以及包括该页缓冲器电路的存储器件。一种非易失性存储器件包括：存储单元；位线，所述位线连接到所述存储单元；第一交叉耦合反相器，所述第一交叉耦合反相器用于存储通过连接到所述位线的读出节点从所述存储单元读出的数据；第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别连接到所述第一交叉耦合反相器的相应端并且分别将接地电压传输到所述第一交叉耦合反相器的所述相应端；以及控制电路，所述控制电路用于在初始化时段和预充电时段中的至少一者内操作所述第一晶体管和所述第二晶体管至少一次，在所述初始化时段中所述读出节点被放电，在所述预充电时段中所述位线被预充电。
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公开(公告)号：CN111223509A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911173506.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别布置在多条字线与多条位线交叉的点处的多个存储器单元；以及控制逻辑电路，被配置为在读取操作中对连接到选择的存储器单元的选择的字线进行预充电，并且对连接到选择的存储器单元的选择的位线进行预充电，其中，控制逻辑电路还被配置为在将选择的字线预充电到第一电压时，将未选择的字线中的第一未选择的字线预充电到第二电压，当选择的字线被预充电到第一电压时，第一电压的电平低于施加到未选择的位线的第三电压的电平，第二电压的电平高于第三电压的电平。
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公开(公告)号：CN110600067A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910500204.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法。一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括布置在多个字线和多个位线相交的点处的多个存储器单元；读出放大器，被配置为在存储器设备的读取操作模式中放大连接到多个存储器单元中的选择的存储器单元的选择的字线的电压与参考电压之间的电压差值；和漏电流补偿电路，被连接到选择的存储器单元与读出放大器之间的选择的字线路径并且被配置为在读取操作模式中补偿由连接到选择的字线的未选择的存储器单元生成的总漏电流。
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公开(公告)号：CN110580926A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910423205.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件的误码率均衡方法。当将包括信息数据和所述信息数据的奇偶校验位的码字写入存储器单元阵列时，所述存储器件根据存储器单元的电阻分布特性选择性地执行纠错码(ECC)交织操作。在根据一个示例的ECC交织操作中，包括信息数据的ECC扇区被划分为第一ECC子扇区和第二ECC子扇区，所述第一ECC子扇区被写入具有高误码率(BER)的第一存储区域的存储器单元，并且第二ECC子扇区被写入具有低BER的第二存储区域的存储器单元。
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公开(公告)号：CN103456361B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310206487.4
申请日：2013-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G06F11/1048 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/02 , G11C16/0483 , G11C16/3413 , G11C16/3436 , G11C16/3454 , G11C29/04 , G11C2029/0411 , G11C2211/5621
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括：识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。
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