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公开(公告)号：CN112216324A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010337657.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
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公开(公告)号：CN110600067A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910500204.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法。一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括布置在多个字线和多个位线相交的点处的多个存储器单元；读出放大器，被配置为在存储器设备的读取操作模式中放大连接到多个存储器单元中的选择的存储器单元的选择的字线的电压与参考电压之间的电压差值；和漏电流补偿电路，被连接到选择的存储器单元与读出放大器之间的选择的字线路径并且被配置为在读取操作模式中补偿由连接到选择的字线的未选择的存储器单元生成的总漏电流。
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公开(公告)号：CN109754835B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811239202.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
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公开(公告)号：CN110910931A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910836317.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，该多个存储器单元中的每一个包括开关元件和信息存储元件，信息存储元件连接到开关元件并且包含相变材料；解码器电路，被配置为确定连接到所述多个存储器单元中的要读取数据的所选择的存储器单元的所选择的字线和所选择的位线；以及电流补偿电路，被配置为从所选择的字线去除泄漏电流，泄漏电流对应于在该多条位线当中的除所选择的位线之外的未选择的位线中流动的断态电流的和。
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公开(公告)号：CN109841248A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110910931B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910836317.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，该多个存储器单元中的每一个包括开关元件和信息存储元件，信息存储元件连接到开关元件并且包含相变材料；解码器电路，被配置为确定连接到所述多个存储器单元中的要读取数据的所选择的存储器单元的所选择的字线和所选择的位线；以及电流补偿电路，被配置为从所选择的字线去除泄漏电流，泄漏电流对应于在该多条位线当中的除所选择的位线之外的未选择的位线中流动的断态电流的和。
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公开(公告)号：CN112289359B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010693865.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。
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公开(公告)号：CN109841248B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN110021333B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811408051.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种存储器系统，存储器装置包括存储器单元阵列、写/读电路、控制电路和反熔丝阵列。存储器单元阵列包括多个非易失性存储器单元。写/读电路执行写操作以将写数据写入存储器单元阵列的目标页，通过将从目标页读取的读数据与写数据比较来验证写操作，并且基于比较结果输出指示写操作的通过或失败之一的通过/失败信号。控制电路控制写/读电路并且响应于通过/失败信号选择性地输出目标页的访问地址作为失败地址。对失败地址编程的反熔丝阵列输出替代失败地址的修复地址。
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