-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216324B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010337657.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
-
公开(公告)号：CN112242164B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010180860.3
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入/读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入/读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入/读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。
-
公开(公告)号：CN112242164A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010180860.3
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入/读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入/读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入/读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。
-
公开(公告)号：CN112216324A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010337657.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
-
公开(公告)号：CN110600067A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910500204.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法。一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括布置在多个字线和多个位线相交的点处的多个存储器单元；读出放大器，被配置为在存储器设备的读取操作模式中放大连接到多个存储器单元中的选择的存储器单元的选择的字线的电压与参考电压之间的电压差值；和漏电流补偿电路，被连接到选择的存储器单元与读出放大器之间的选择的字线路径并且被配置为在读取操作模式中补偿由连接到选择的字线的未选择的存储器单元生成的总漏电流。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.03 seconds)
