公开(公告)号：CN1039559C

公开(公告)日：1998-08-19

申请号：CN90103246.8

申请日：1990-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/30 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/94

Abstract: 一种半导体装置和它的制造方法。这个半导体装置包括：一个第一导电层、在第一导电层上组成的氧化层、在氧化层上组成一个多子层形式的氮化物层，又在多子层的氮化物层上还有一层氧化物层，最后是在前面n步所得到的结构上形成第二导电层。由于多子层的氮化物层的独一无二特性，按照本发明的半导体装置的电气性能就被改善了。同时按照本发明的多子层结构的氮化物层可以广泛地应用到很多半导体器件上。

公开(公告)号：CN1030631C

公开(公告)日：1996-01-03

申请号：CN90109275.4

申请日：1990-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋 ,  高在弘 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10835

Abstract: 一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛-沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛-沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛-沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛-沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。

公开(公告)号：CN102169933B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110048129.6

申请日：2011-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金台勋 ,  金载润 ,  河海秀

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件、发光模块和照明设备。所述半导体发光器件包括基底、多个发光单元、连接部分和凹凸部分。发光单元布置在基底的顶表面上。每个发光单元具有顺序地堆叠在基底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。连接部分被形成为使发光单元串联连接、并联连接或串并联连接。凹凸部分形成在基底的底表面和发光单元之间的隔离区的顶表面的至少一个表面中。

公开(公告)号：CN102330072B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110199158.2

申请日：2011-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  金荣善 ,  沈炫旭 ,  金晟泰

IPC: C23C16/455 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L33/0066 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法，所述化学气相沉积设备包括：反应室，包括具有预定体积的内部空间的内管和紧密密封内管的外管；晶片夹持件，设置在内管中，多个晶片以预定间隔堆叠在晶片夹持件上；供气单元，包括将外部反应气体供应到反应室的至少一条气体管线以及与气体管线连通以将反应气体喷射至晶片的多个喷嘴，从而在晶片的表面上生长半导体外延薄膜，其中，生长在晶片的表面上的半导体外延薄膜包括发光结构，在所述发光结构中顺序地形成有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN103733359A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201180072761.2

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩在镐 ,  金晟泰 ,  蔡昇完 ,  李钟昊 ,  金制远

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/005 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件。根据本发明的一方面的半导体发光器件的制造方法包括：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。

公开(公告)号：CN103066176A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210400802.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范埈 ,  金晟泰 ,  金荣善 ,  尹皙胡 ,  金起成 ,  李浩喆

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。

公开(公告)号：CN1790675A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN1722379A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510078339.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN1193420C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN00135511.2

申请日：2000-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金民 ,  金晟泰

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

Abstract: 制造非易失性存储器件或其他半导体器件的方法包括在半导体衬底上的一个缓冲氧化层上形成一个硅层。形成缓冲氧化层之后，形成阻碍层。导电材料的控制栅极这样形成：对硅层、栅极氧化层和衬底构图，在衬底的上部形成沟槽。通过氧化沟槽的侧壁而在控制栅极材料的上部和下部产生鸟嘴形部分，可以实现均匀性。之后，形成一个填充沟槽的场氧化层。由于在沟槽侧壁的氧化过程中，鸟嘴形部分均匀形成在控制栅极材料的上部和下部，因此通过防止例如浮动栅极的侧壁具有正斜率，实现了均匀性。

公开(公告)号：CN1030021C

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：CN90104393.1

申请日：1990-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L27/10835

Abstract: 一种在半导体基片中形成沟槽制作叠层一沟槽并合型电容的方法。一层作第一电极用的导电层，一层介电膜以及作第二电极用的另一层导电层，依次连续地淀积在沟槽内。然后，蚀刻两层导电层和介于其间的介电膜，以形成电容图形。沿电容图形的侧壁形成一绝缘层，再在整个结构上形成一层第三导电层。