公开(公告)号：CN103782399B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180073264.4

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  韩在镐 ,  金载润 ,  河海秀 ,  李守烈 ,  金制远

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。

公开(公告)号：CN103797592A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201180073515.9

申请日：2011-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  河海秀 ,  金载润 ,  韩在镐

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，在本发明的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。

公开(公告)号：CN103782399A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201180073264.4

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  韩在镐 ,  金载润 ,  河海秀 ,  李守烈 ,  金制远

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。

公开(公告)号：CN103650178A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180072220.X

申请日：2011-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载润 ,  金制远 ,  李进馥 ,  黄硕珉 ,  河海秀 ,  李守烈

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。

公开(公告)号：CN102169933B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110048129.6

申请日：2011-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金台勋 ,  金载润 ,  河海秀

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件、发光模块和照明设备。所述半导体发光器件包括基底、多个发光单元、连接部分和凹凸部分。发光单元布置在基底的顶表面上。每个发光单元具有顺序地堆叠在基底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。连接部分被形成为使发光单元串联连接、并联连接或串并联连接。凹凸部分形成在基底的底表面和发光单元之间的隔离区的顶表面的至少一个表面中。

公开(公告)号：CN1670591A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510053891.8

申请日：2005-03-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星康宁株式会社

Inventor： 金重玄 ,  河海秀 ,  李相裕 ,  赵硕显

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01J65/046 ,  G02F1/133604 ,  H01J61/025 ,  H01J61/305 ,  H01J61/35

Abstract: 本发明提供了一种可以提高光利用率的面光源装置及具有该面光源装置的液晶显示器。面光源装置包括产生光的光源体；分别形成于光源体外侧表面的两个端部上，并向光源体施加放电电压的第一及第二外部电极；以及形成于光源体内部，并由涂布树脂和至少具有两种以上大小的散乱粒子组成的反射层。这时，散乱粒子由耐热性良好的氧化物组成。因此，反射层减少反射光的色坐标变化的同时可以提高反射率。