公开(公告)号：CN1992350A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610168227.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皇甫尚佑 ,  金时烈 ,  梁成勋 ,  李禹根

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括底基板、栅电极、栅极绝缘层、表面处理层、有源层、源电极和漏电极。栅电极形成在底基板上。栅极绝缘层形成在底基板上，以覆盖栅电极。表面处理层通过用含氮气体处理栅极绝缘层而形成在栅极绝缘层上，以防止泄漏电流。有源层形成在表面处理层上，以覆盖栅电极。彼此隔开预定距离的源电极和漏电极形成在有源层上。

公开(公告)号：CN1964067A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610138550.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金时烈 ,  金度贤 ,  金炳范 ,  郑敞午 ,  李埈泳 ,  裵良浩 ,  康盛旭

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12903

Abstract: 本发明公开了一种含有能够被蚀刻的铜以具有可靠轮廓的导电结构，其中，铜层不被腐蚀或氧化，该导电结构包括形成于绝缘或半导体基板上的屏障层以及随后的铜层、阻挡层和覆盖层。铜层包含铜或铜合金。屏障层包含钼(Mo)、氮化钼(MoN)、或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb或MoZr中的至少一种)。阻挡层包含氮化铜、氧化铜或氮氧化铜。覆盖层包含钼、氮化钼(MoN)或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb和MoZr中的至少一种)。

公开(公告)号：CN1790750A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN101211044B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710306095.X

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  金时烈 ,  流慧营 ,  郑美惠 ,  金彰洙 ,  姜秀馨

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。

公开(公告)号：CN102002334A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010159530.2

申请日：2010-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜勋 ,  金载星 ,  郑壤镐 ,  周振豪 ,  郑斗喜 ,  朴正仁 ,  金时烈

IPC: C09J133/02 ,  C09J133/12 ,  C09J133/14 ,  C09J133/10 ,  C09J125/08 ,  C09J179/08 ,  C09J145/00 ,  C09J183/04 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C08F220/06 ,  C08F220/26 ,  C08F222/04 ,  C08F224/00 ,  C08G73/1067 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133719 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/133726 ,  G02F2001/133746 ,  G02F2001/133757 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/086 ,  G02F2202/022 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明提供了一种有机层组合物以及包括该有机层组合物的液晶显示器。根据一种示例性实施方式的有机层组合物包括通过使包括在第一组和第二组中的化合物共聚合而形成的粘合剂，其中第一组包括基于丙烯酰基的化合物，而第二组包括没有-COO-基团的化合物。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN1897285A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

公开(公告)号：CN1884618A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610086467.8

申请日：2006-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10－20wt％的过氧化氢、1－5wt％的有机酸、0.1－1wt％的基于三唑的化合物、0.01－0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。

公开(公告)号：CN1530721A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410004600.1

申请日：2004-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  金时烈 ,  金相洙

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F2001/136222

Abstract: 本发明涉及一种用于形成液晶显示器的方法，该方法包括形成第一面板和第二面板。形成第一面板的步骤包括：在第一基片部分之上形成黑阵、在黑阵之上形成共同电极、以及在共同电极和黑阵上形成间隔物。形成第二面板的步骤包括：在第二基片之上形成像素电极。第一面板和第二面板设置在彼此之上，以便像素电极面对其间具有液晶层的共同电极和黑阵。第一面板和第二面板之间的垂直距离由间隔物和黑阵的厚度确定。

公开(公告)号：CN1873530B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200610088744.9

申请日：2006-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡钟哲 ,  金时烈 ,  金湘甲 ,  昔俊亨 ,  皇甫尚佑 ,  张元基 ,  李羲国 ,  尹铢浣 ,  金洙真

IPC: G03F1/32 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。