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公开(公告)号：CN117393031A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310374316.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 半导体存储器件包括存储单元阵列、数据输入/输出(I/O)缓冲器、I/0选通电路和控制逻辑电路。存储单元阵列包括沿第一方向和第二方向布置的多个子阵列块。数据I/0缓冲器通过I/O焊盘与存储控制器交换用户数据。I/O选通电路通过数据总线连接到数据I/O缓冲器，并且通过数据I/O线连接到存储单元阵列，以及基于映射控制信号，对子阵列块与I/O焊盘之间的映射关系进行编程，从而减少由存储控制器中的纠错码引擎检测到的不可纠正的错误。控制逻辑电路基于指示存储控制器的中央处理单元的类型的标识符信息产生映射控制信号。
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公开(公告)号：CN117275540A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310698826.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在所述半导体存储器装置的上电序列期间自动地将随机计数数据存储在多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且响应于来自外部存储器控制器的激活命令通过对与所述多个存储器单元行中的每个相关联的访问的次数进行计数来确定计数值，并且将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中。刷新控制电路接收锤击地址，并且对所述多个存储器单元行中的物理邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个存储器单元行执行锤击刷新操作。
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公开(公告)号：CN109612999B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201811101527.8
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于重建半导体晶圆的晶圆图的系统，包括：处理器；和存储器，其具有被存储在其上的指令，当由处理器执行该指令时使得处理器：接收在晶圆的稀疏采样位置处的晶圆的测试数据，基于探测掩模选择稀疏采样位置；和通过利用Zernike多项式对在晶圆的稀疏采样位置处的测试数据执行压缩感测来计算重建晶圆图。
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公开(公告)号：CN106570212B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201610887556.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/3312 , G06F30/367 , G06F111/08 , G06F119/02
Abstract: 提供一种基于随机电报信号噪声的电路设计方法和仿真方法。一种仿真方法包括：接收描述多个装置的网表；通过使用分别与所述多个装置对应的随机电报信号(RTS)噪声因子的值，来执行算术运算；基于算术运算的结果，来生成与所述多个装置中的每个装置对应的RTS模型；生成反映RTS模型的网表。
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公开(公告)号：CN109559771A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810959564.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091
Abstract: 一种存储器装置包括存储器单元块、位线读出放大器块和控制电路，控制电路连接至排列在存储器单元块之间的一个或多个位线读出放大器块。控制电路将分别供应至驱动位线读出放大器的第一感测驱动电压线和第二感测驱动电压线的电流的水平控制为恒定。将从感测匹配控制电路输出的第一感测驱动控制信号和/或第二感测驱动控制信号提供至所有位线读出放大器块中的位线读出放大器，从而基于供应至第一感测驱动电压线和第二感测驱动电压线的恒定水平的电流恒定地驱动位线读出放大器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119068940A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410683819.6
申请日：2024-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C11/403
Abstract: 示例存储器设备包含存储单元阵列、行锤管理电路及读取‑修改‑写入(RMW)驱动器。存储单元阵列包括多个存储单元行，并且存储用于对每个存储单元行的访问次数的计数数据。行锤管理电路执行RMW操作，所述RMW操作读出对应于存储单元行当中的目标存储单元行的计数数据，更新读出的计数数据，且将更新的计数数据写入存储单元阵列中。RMW驱动器基于预充电命令生成控制信号以控制RMW操作。在从施加预充电命令的时间点起经过预定时间之后，对目标存储单元行进行预充电。
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公开(公告)号：CN106847876B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN110867484A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910757604.3
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 , 崔景敏 , 冈垣健 , 金洞院 , 金宗哲
IPC: H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。
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公开(公告)号：CN109612999A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811101527.8
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于重建半导体晶圆的晶圆图的系统，包括：处理器；和存储器，其具有被存储在其上的指令，当由处理器执行该指令时使得处理器：接收在晶圆的稀疏采样位置处的晶圆的测试数据，基于探测掩模选择稀疏采样位置；和通过利用Zernike多项式对在晶圆的稀疏采样位置处的测试数据执行压缩感测来计算重建晶圆图。
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公开(公告)号：CN107154433A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710120178.3
申请日：2017-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳.库马尔.布瓦尔卡 , 金成帝 , 金宗哲 , 金炫佑
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/1037 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/775 , H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/66477
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、源极/漏极层和栅结构。沟道被顺序堆叠在衬底上并且在垂直于衬底的顶面的第一方向上彼此间隔开。源极/漏极层被连接到沟道并且位于沟道的在平行于衬底的顶面的第二方向上的相反侧。栅结构包围沟道。沟道具有不同的在第二方向上的长度以及不同的在第一方向上的厚度。
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