公开(公告)号：CN112038403A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010494337.8

申请日：2020-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相勋 ,  克里希那·布瓦卡 ,  姜明吉 ,  崔景敏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括鳍结构，其具有交替地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案。半导体器件包括半导体盖层，其位于鳍结构的上表面上，并在与第一方向交叉的第二方向上沿鳍结构的相对侧表面延伸。半导体器件包括栅电极，其位于半导体盖层上，并在第二方向上延伸。半导体器件包括位于半导体盖层与栅电极之间的栅极绝缘膜。另外，半导体器件包括连接到鳍结构的源/漏区。多个第一半导体图案包括锗(Ge)含量在25％至35％的范围内的硅锗(SiGe)，并且多个第二半导体图案包括硅(Si)。

公开(公告)号：CN110867484A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN119947240A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510062976.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D84/85 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN110867484B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D64/27 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。