公开(公告)号：CN110895650A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910857190.1

申请日：2019-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权义熙 ,  齐伟一 ,  路阳 ,  安晨星 ,  冈垣健

IPC: G06F30/392

Abstract: 提供了一种标准单元设计系统。标准单元设计系统包括至少一个处理器，该至少一个处理器被配置为实现：控制引擎，确定目标标准单元的平面参数和垂直参数；三维结构生成引擎，基于平面参数和垂直参数生成目标标准单元的三维结构；提取引擎，从三维结构中提取目标标准单元的标准单元模型；评估引擎，基于标准单元模型执行多个评估操作；以及自动优化引擎，基于机器学习算法，基于多个评估操作的结果来调整平面参数和垂直参数。

公开(公告)号：CN110895650B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201910857190.1

申请日：2019-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权义熙 ,  齐伟一 ,  路阳 ,  安晨星 ,  冈垣健

IPC: G06F30/392

Abstract: 提供了一种标准单元设计系统。标准单元设计系统包括至少一个处理器，该至少一个处理器被配置为实现：控制引擎，确定目标标准单元的平面参数和垂直参数；三维结构生成引擎，基于平面参数和垂直参数生成目标标准单元的三维结构；提取引擎，从三维结构中提取目标标准单元的标准单元模型；评估引擎，基于标准单元模型执行多个评估操作；以及自动优化引擎，基于机器学习算法，基于多个评估操作的结果来调整平面参数和垂直参数。

公开(公告)号：CN110867484A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN119947240A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510062976.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D84/85 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN110867484B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D64/27 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN116613162A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310099129.1

申请日：2023-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  金必光 ,  柳主馨 ,  金成玟 ,  朴容喜 ,  宋映锡 ,  冈垣健

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底中的器件隔离图案；在衬底的第一区域上的下分离电介质图案；在下分离电介质图案上的第一沟道图案；第一栅电极，在第一沟道图案上，并包括在下分离电介质图案和最下面的第一沟道图案之间的第一栅极部分；以及第一源极/漏极图案，在第一栅电极的相反侧并与第一沟道图案的侧表面接触。下分离电介质图案的底表面在高于或等于器件隔离图案的底表面的水平的水平。下分离电介质图案的顶端在比第一栅极部分的底表面的水平高的水平。