公开(公告)号：CN119541572A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411182578.3

申请日：2024-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  俞昌植 ,  任政燉 ,  黄炯烈

IPC: G11C8/12

Abstract: 一种存储器件包括：存储体阵列，包括多个存储单元；行解码器，通过多条字线连接到存储体阵列；以及列解码器，通过多条列选择线连接到存储体阵列。存储体阵列可以包括第一区域和与第一区域不同的第二区域。针对存储在第一区域中的第一正常数据的第一元数据存储在第二区域中，并且针对存储在第二区域中的第二正常数据的第二元数据存储在第一区域中。

公开(公告)号：CN110265069B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN201910169891.6

申请日：2019-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊揆 ,  吴凛 ,  金基兴 ,  吴文熙

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10 ,  G11C8/06

Abstract: 根据一些实施例，一种高带宽存储器设备包括基管芯和多个存储器管芯，该多个存储器管芯堆叠在基管芯上并通过多个基板通孔电连接到基管芯。基管芯包括：多个第一输入缓冲器，被构造为从连接到基管芯外部的多个第一凸块接收通道时钟信号、通道命令/地址和通道数据；多个第二输入缓冲器，被构造为从连接到基管芯外部的多个第二凸块接收测试时钟信号、测试命令/地址和测试数据；监测单元；多个第一输出缓冲器，连接到监测单元并被构造为将来自监测单元的监测数据输出到多个第二凸块；以及从多个第一输入缓冲器到监测单元的多条路径。

公开(公告)号：CN117457047A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310771675.5

申请日：2023-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李京虎 ,  金基兴 ,  吴台荣 ,  金宗哲 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/4078 ,  G11C11/4096 ,  G11C7/22 ,  G11C7/24

Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；以及行锤击管理电路。行锤击管理电路将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且执行内部读取‑更新‑写入操作，以从多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，并且将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中。行锤击管理电路包括锤击地址队列。行锤击管理电路基于指示锤击地址队列的状态改变的事件信号，随机地改变更新后的计数数据。

公开(公告)号：CN117275540A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310698826.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宗哲 ,  金基兴 ,  吴台荣 ,  李京虎

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在所述半导体存储器装置的上电序列期间自动地将随机计数数据存储在多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且响应于来自外部存储器控制器的激活命令通过对与所述多个存储器单元行中的每个相关联的访问的次数进行计数来确定计数值，并且将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中。刷新控制电路接收锤击地址，并且对所述多个存储器单元行中的物理邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个存储器单元行执行锤击刷新操作。

公开(公告)号：CN115620788A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210811445.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  金俊亨 ,  李昌容 ,  车相彦 ,  河庆洙

IPC: G11C16/34 ,  G11C29/42

Abstract: 提供操作存储器装置和存储器控制器的方法以及存储器系统。操作存储器装置的方法包括：从控制器接收第一命令；基于第一命令激活存储器单元阵列的页；读取激活的页的数据；从读取的数据检测错误；对检测到的错误进行纠正，以生成纠错数据；基于检测到的错误是单个位错误，将纠错数据回写到激活的页；以及基于检测到的错误是多位错误，阻止纠错数据到激活的页的回写。

公开(公告)号：CN119495329A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411128594.4

申请日：2024-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  俞昌植 ,  任政燉 ,  黄炯烈

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/06 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C8/20 ,  G11C7/24

Abstract: 一种存储器件包括至少一个存储体，该至少一个存储体至少包括沿字线方向设置的第一子存储体和第二子存储体。第一子存储体可以包括与多条第一字线连接并存储正常数据的正常数据区域，第二子存储体可以包括与多条第二字线连接并存储与正常数据相对应的元数据的元数据区域，多条第一字线可以与多条第二字线相匹配以形成多个字线对，并且第一子存储体和第二子存储体可以共享行锤区域，该行锤区域存储对多个字线对的访问次数。

公开(公告)号：CN119091939A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410708117.9

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣 ,  黄炯烈

IPC: G11C8/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26

Abstract: 公开了存储器装置。所述存储器装置包括：存储体，连接到多条字线、第一全局输入和输出(GIO)线和第二GIO线，第二GIO线被形成为在列方向上具有比第一GIO线大的长度。第一GIO线和第二GIO线中的一条可被分配给元数据。

公开(公告)号：CN119068940A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410683819.6

申请日：2024-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣 ,  金宗哲 ,  李京虎 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/403

Abstract: 示例存储器设备包含存储单元阵列、行锤管理电路及读取‑修改‑写入(RMW)驱动器。存储单元阵列包括多个存储单元行，并且存储用于对每个存储单元行的访问次数的计数数据。行锤管理电路执行RMW操作，所述RMW操作读出对应于存储单元行当中的目标存储单元行的计数数据，更新读出的计数数据，且将更新的计数数据写入存储单元阵列中。RMW驱动器基于预充电命令生成控制信号以控制RMW操作。在从施加预充电命令的时间点起经过预定时间之后，对目标存储单元行进行预充电。

公开(公告)号：CN119028394A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410636486.1

申请日：2024-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣

IPC: G11C8/14

Abstract: 一种存储器装置包括连接到多条字线和多条列选择线(CSL)的存储体。在所述多条字线之中，列方向上的每第r字线可被分配用于元数据，其中，r是正整数。

公开(公告)号：CN118571281A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410099775.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣 ,  金泽耘 ,  尹珍成 ,  郑伦在 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/401 ,  G11C17/16

Abstract: 提供存储器模块、操作存储器模块的方法以及存储装置。所述方法包括：基于从存储器控制器接收的一次性可编程(OTP)命令进入OTP寻址模式；基于从存储器控制器接收的多个模式寄存器命令来确定保护密钥序列是否被满足；以及基于确定保护密钥序列被满足，将与包括在所述存储器模块中的多个存储器装置之中的目标存储器装置对应的唯一标识符(ID)编程到目标存储器装置中。