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公开(公告)号：CN109494236B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201811055002.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。
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公开(公告)号：CN107871743B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710864922.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造三维半导体器件的方法。该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。
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公开(公告)号：CN108023015B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201710983541.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开磁存储器件。磁存储器件包括参考磁结构、自由磁结构、以及在参考磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒图案。参考磁结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括邻近交换耦合图案的第一磁图案、邻近隧道势垒图案的第二磁图案、在第一和第二磁图案之间的第三磁图案、在第一和第三磁图案之间的第一非磁图案、以及在第二和第三磁图案之间的第二非磁图案。第一非磁图案具有与第二非磁图案不同的晶体结构，且第三磁图案的至少一部分是非晶的。
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公开(公告)号：CN104347796A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410370250.4
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/224 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118830012A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380024411.1
申请日：2023-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示装置包括：显示模块，包括：衬底，多个发光二极管安装在衬底上；保持件，覆盖衬底的后部；增强构件，设置在保持件的后部处；以及固定构件，从保持件向后突出；柜，支撑显示模块，并且包括多个第一磁体和通孔，允许固定构件穿过通孔；以及电路壳体，包括多个第二磁体，并且耦接到柜。显示模块通过多个第一磁体与增强构件之间的第一磁吸引力以及多个第二磁体与增强构件之间的第二磁吸引力耦接到柜。
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公开(公告)号：CN115701270A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210781501.2
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了在不降低或增加数据保持力的情况下具有快的操作速度的磁隧道结器件和/或包括该磁隧道结器件的存储器件。该磁隧道结器件包括：自由层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；被钉扎层，面对自由层的第一表面；第一氧化物层，在被钉扎层和自由层之间；以及第二氧化物层，在自由层的第二表面上。自由层包括与第一氧化物层相邻的第一自由层和与第二氧化物层相邻的第二自由层。第一自由层包括未掺非磁性金属的磁性材料，第二自由层包括掺有非磁性金属的磁性材料。
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公开(公告)号：CN106654000B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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公开(公告)号：CN107017337A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN106654000A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3464 , H01F41/307 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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