公开(公告)号：CN116367699A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211664109.6

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳淀春 ,  李昇宰 ,  长谷直基 ,  金洸奭

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了合成反铁磁体、磁隧道结器件和存储装置。该合成反铁磁体包括：具有第一表面的第一铁磁性层；第二铁磁性层，具有面对第一铁磁性层的第一表面的第二表面；以及设置在第一铁磁性层和第二铁磁性层之间的第一非磁性层，其中第一铁磁性层具有倾斜的垂直磁各向异性(PMA)，其中第一铁磁性层的磁化方向从垂直于第一表面和第二表面的第一方向倾斜，第一铁磁性层的磁化方向在第一方向上的分量和第二铁磁性层的磁化方向在第一方向上的分量彼此相反。

公开(公告)号：CN115701270A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210781501.2

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洸奭 ,  朴盛健 ,  金基雄 ,  长谷直基

IPC: H10N50/10 ,  G11C11/16 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了在不降低或增加数据保持力的情况下具有快的操作速度的磁隧道结器件和/或包括该磁隧道结器件的存储器件。该磁隧道结器件包括：自由层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；被钉扎层，面对自由层的第一表面；第一氧化物层，在被钉扎层和自由层之间；以及第二氧化物层，在自由层的第二表面上。自由层包括与第一氧化物层相邻的第一自由层和与第二氧化物层相邻的第二自由层。第一自由层包括未掺非磁性金属的磁性材料，第二自由层包括掺有非磁性金属的磁性材料。

公开(公告)号：CN115633537A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202210831349.4

申请日：2022-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洸奭 ,  朴盛健 ,  李昇宰 ,  长谷直基

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有更稳定的垂直磁各向异性(PMA)和/或提高的运行速度。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面的自由层；面对所述自由层的第一表面的钉扎层；在所述钉扎层和所述自由层之间的第一氧化物层；和在所述自由层的第二表面上的第二氧化物层。所述自由层包括掺杂有非磁性金属X的磁性材料。所述第二氧化物层包括作为金属Z的氧化物的ZOx。金属Z的氧亲和力大于非磁性金属X的氧亲和力。

公开(公告)号：CN115036415A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210209054.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洸奭 ,  朴盛健 ,  长谷直基 ,  李昇宰

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了磁隧道结器件和其制造方法、包括该磁隧道结器件的存储器件和电子系统。该磁隧道结器件包括：第一磁性层；设置为面对第一磁性层的第二磁性层；以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间并包括金属氧化物的第一氧化物层，其中第一氧化物层的金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成，以及其中第二磁性层包括掺有金属元素的磁性材料。