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公开(公告)号：CN1828949A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006800.X
申请日：2006-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金利泰
IPC: H01L31/08 , H01L31/18 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14647 , H04N2209/047
Abstract: 本发明公开了一种包括垂直光检测器的图像传感器及其相关制造方法。该图像传感器包括堆叠的多个具有不同光灵敏度的光电转换层，每个分别由介电阻挡层分隔开。
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公开(公告)号：CN1819630A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006730.8
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603
Abstract: 一种CMOS有源像素传感器，其包括：光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管，其中，所述光电二极管响应入射光产生电荷，所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点，所述复位晶体管耦合至电源电压，其对所述感测节点的电压进行复位，使所述感测节点基本上具有电源电压的电平，所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大，所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路，因此，可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度，并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。
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公开(公告)号：CN1674297A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410099771.7
申请日：2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AVtotal，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。
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公开(公告)号：CN103972258A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410041492.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14641
Abstract: 提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1893542B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610121410.7
申请日：2006-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , H04N5/3741
Abstract: 图像传感器的像素电路包括浮置扩散节点和复位晶体管。该复位晶体管耦合在该图像传感器的该浮置扩散节点和另一像素电路的复位控制信号节点之间。施加到该另一像素电路的复位控制信号节点的电压是通过复位晶体管传送给浮置扩散节点的复位电压。
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公开(公告)号：CN1819630B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610006730.8
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603
Abstract: 一种CMOS有源像素传感器，其包括：光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管，其中，所述光电二极管响应入射光产生电荷，所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点，所述复位晶体管耦合至电源电压，其对所述感测节点的电压进行复位，使所述感测节点基本上具有电源电压的电平，所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大，所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路，因此，可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度，并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。
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公开(公告)号：CN101677106A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N3/15 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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公开(公告)号：CN1893542A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610121410.7
申请日：2006-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , H04N5/3741
Abstract: 图像传感器的像素电路包括浮置扩散节点和复位晶体管。该复位晶体管耦合在该图像传感器的该浮置扩散节点和另一像素电路的复位控制信号节点之间。施加到该另一像素电路的复位控制信号节点的电压是通过复位晶体管传送给浮置扩散节点的复位电压。
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