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公开(公告)号：CN1848443A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610071454.3
申请日：2006-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了图像传感器和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的深阱。深阱形成于预定深度的半导体基底中以将半导体基底划分为第一导电类型的上部基底区和下部基底区。图像传感器还包括多个集聚对应于入射光的电荷并且包括第一导电类型的离子注入区的单元像素。第一导电类型离子注入区被相互分开。此外，在多个单元像素之中至少一个单元像素还包括位于包含在单元像素区内的第一导电类型离子注入区下面的第一导电类型上部基底区。此外，多个单元像素之中的至少一个单元像素延伸到所述第一导电类型离子注入区之外并且与在多个单元像素的相邻单元像素内包含的第一导电类型离子注入区电隔离。
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公开(公告)号：CN100563016C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610071454.3
申请日：2006-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了图像传感器和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的深阱。深阱形成于预定深度的半导体基底中以将半导体基底划分为第一导电类型的上部基底区和下部基底区。图像传感器还包括多个集聚对应于入射光的电荷并且包括第一导电类型的离子注入区的单元像素。第一导电类型离子注入区被相互分开。此外，在多个单元像素之中至少一个单元像素还包括位于包含在单元像素区内的第一导电类型离子注入区下面的第一导电类型上部基底区。此外，多个单元像素之中的至少一个单元像素延伸到所述第一导电类型离子注入区之外并且与在多个单元像素的相邻单元像素内包含的第一导电类型离子注入区电隔离。
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公开(公告)号：CN100466284C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510053008.5
申请日：2005-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L21/822 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14806
Abstract: 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储单元和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。
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公开(公告)号：CN100442830C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410081975.8
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南丁铉
IPC: H04N5/335 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/347 , H04N5/3456
Abstract: 一种固态图像感测装置和驱动方法提供了二次采样模式，用于通过使用下列部件来改善在固态图像感测装置中的动态范围：垂直驱动电极，它接收垂直驱动信号的输入；垂直CCD，它接收在一行的多个间隔上排列的多个行的视频信号的每个，将所接收的信号与一个行的视频信号相加，并且垂直发送该结果，其中，一个行是与所接收信号的行相距一个比例数的行，该比例数与多个行的数目成比例；水平驱动电极，接收水平信号的输入；水平CCD，接收所述被相加的视频信号，再次依序相加与所述多个行的数目相同数目的所述被相加的视频信号，并且水平地发送和输出按照行相加的视频信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1674297A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410099771.7
申请日：2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AVtotal，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。
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公开(公告)号：CN1791185B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200510120231.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南丁铉
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H04N5/361
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其操作方法。所述CMOS图像传感器包括具有像素矩阵的像素阵列单元，其中每个像素包括电荷转移元件，用于将在光电转换元件中收集的电荷转移到电荷检测元件；和行驱动单元，用于在所述光电转换元件的电荷累积周期的部分期间将电压提供给电荷转移元件，其中所提供的电压使得所述电荷转移元件具有负电势。
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公开(公告)号：CN1297136C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN03123314.7
申请日：2003-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南丁铉
CPC classification number: H04N5/3575 , H04N5/361 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器包括：光敏元件，用于生成对应于照射其上的光线的电信号和斜坡信号生成器，用于生成斜坡信号。斜坡信号的生成响应斜坡允许信号的激活而启动。偏移调节电路在激活斜坡允许信号和启动斜坡信号的生成后生成计数器允许信号。计数器响应计数器允许信号的生成而启动计数。锁存器响应斜坡信号和对应于入射到光敏元件上的光线的电信号的比较结果锁存计数器的输出。也讨论了其相关的方法。
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公开(公告)号：CN1665033A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510053008.5
申请日：2005-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L21/822 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14806
Abstract: 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储器和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。
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