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公开(公告)号：CN103972258B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410041492.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148
Abstract: 提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。
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公开(公告)号：CN103972258A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410041492.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14641
Abstract: 提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。
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公开(公告)号：CN100530665C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510081361.4
申请日：2005-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14603 , H01L27/14623 , H01L27/14636
Abstract: 集成电路器件，其包括半导体衬底和排列在所述半导体衬底上的阵列中的包括多个光电转换元件的传感器阵列区。在所述传感器阵列区上具有多个层间介电层，多个光透射区从相应的光电转换元件穿过多个层间介电层延伸。在所述的多个层间介电层中的一些层间介电层之间具有多个反光金属元件，其位于所述光透射区中的一些透射区之外，并位于这些光透射区之间。在一些金属元件的上表面上形成光吸收层，用于防止与某一光透射区的光电转换元件相关的光被反射至另一光电反射区的光电转换元件，以抑制在多个光电反射元件之间产生的串扰。
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公开(公告)号：CN1716626A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081361.4
申请日：2005-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14603 , H01L27/14623 , H01L27/14636
Abstract: 集成电路器件，其包括半导体衬底和排列在所述半导体衬底上的阵列中的包括多个光电转换元件的传感器阵列区。在所述传感器阵列区上具有多个层间介电层，多个光透射区从相应的光电转换元件穿过多个层间介电层延伸。在所述的多个层间介电层中的一些层间介电层之间具有多个反光金属元件，其位于所述光透射区中的一些透射区之外，并位于这些光透射区之间。在一些金属元件的上表面上形成光吸收层，用于防止与某一光透射区的光电转换元件相关的光被反射至另一光电反射区的光电转换元件，以抑制在多个光电反射元件之间产生的串扰。
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