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公开(公告)号：CN103533636B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201310272327.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开测量到对象的距离的方法和装置。为了通过将周期性的幅度调制的光信号照射到对象并检测照射的光信号和从对象发射的光信号之间的相位差来测量到对象上的多个点的距离，产生第一光电检测控制信号以控制光信号的照射。产生遮蔽信号以使遮蔽信号至少在用于复位感测节点（与前一帧的操作相关）的电压电平的快门持续时间期间激活。基于第一光电检测控制信号和遮蔽信号产生第二光电检测控制信号，以使第二光电检测控制信号至少在快门持续时间期间被禁用或遮蔽。
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公开(公告)号：CN101110439B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN1674297A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410099771.7
申请日：2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AVtotal，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。
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公开(公告)号：CN104051483A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410053535.5
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 提供了一种深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器。所述深度像素包括光检测区、第一光栅极、第二光栅极、第一浮动扩散区和第二浮动扩散区。光检测区基于由对象反射的光来收集光电荷。收集到的光电荷基于在光检测区中的内电场在第一方向和与第一方向不同的第二方向上漂移。第一光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第一光栅极被激活，则第一浮动扩散区积累在第一方向上漂移的第一光电荷。第二光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第二光栅极被激活，则第二浮动扩散区积累在第二方向上漂移的第二光电荷。
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公开(公告)号：CN103533636A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310272327.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开测量到对象的距离的方法和装置。为了通过将周期性的幅度调制的光信号照射到对象并检测照射的光信号和从对象发射的光信号之间的相位差来测量到对象上的多个点的距离，产生第一光电检测控制信号以控制光信号的照射。产生遮蔽信号以使遮蔽信号至少在用于复位感测节点（与前一帧的操作相关）的电压电平的快门持续时间期间激活。基于第一光电检测控制信号和遮蔽信号产生第二光电检测控制信号，以使第二光电检测控制信号至少在快门持续时间期间被禁用或遮蔽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101110439A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN103533234B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310280692.5
申请日：2013-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/2226 , H04N5/2258 , H04N5/23245 , H04N5/3696 , H04N5/376 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器芯片、操作方法和包括图像传感器芯片的系统，所述图像传感器芯片包括用于感测对象的运动的运动传感器像素和深度，所述方法包括：根据模式选择信号来激活深度传感器像素或运动传感器像素；处理由所激活的深度传感器像素或所激活的运动传感器像素输出的像素信号。
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公开(公告)号：CN104051483B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410053535.5
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 提供了一种深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器。所述深度像素包括光检测区、第一光栅极、第二光栅极、第一浮动扩散区和第二浮动扩散区。光检测区基于由对象反射的光来收集光电荷。收集到的光电荷基于在光检测区中的内电场在第一方向和与第一方向不同的第二方向上漂移。第一光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第一光栅极被激活，则第一浮动扩散区积累在第一方向上漂移的第一光电荷。第二光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第二光栅极被激活，则第二浮动扩散区积累在第二方向上漂移的第二光电荷。
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公开(公告)号：CN103533234A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310280692.5
申请日：2013-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/2226 , H04N5/2258 , H04N5/23245 , H04N5/3696 , H04N5/376 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器芯片、操作方法和包括图像传感器芯片的系统，所述图像传感器芯片包括用于感测对象的运动的运动传感器像素和深度，所述方法包括：根据模式选择信号来激活深度传感器像素或运动传感器像素；处理由所激活的深度传感器像素或所激活的运动传感器像素输出的像素信号。
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