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公开(公告)号：CN111106085B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201911010835.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118198008A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311239220.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括：第一芯片，其包括第一衬底，第一衬底上的第一布线层和连接至第一布线层并且从第一衬底的下表面突出的穿通电极；双间隙填充层，其覆盖第一芯片的侧表面和下表面和穿通电极的突出部分并且具有双层结构；设置在第一芯片和双间隙填充层上的第二芯片，第二芯片包括第二布线层和第二布线层上的第二衬底，并且第二芯片通过混合接合接合至第一芯片；以及至少一个凸块，其在第一芯片的下表面上并且连接至穿通电极。
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公开(公告)号：CN117894746A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311288102.3
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上形成多层光刻胶；通过对多层光刻胶进行曝光和显影来在该多层光刻胶中形成多个开口；通过在多个开口中形成导电材料来形成多个导电柱；去除多层光刻胶；在第一布线结构上设置半导体芯片；在半导体芯片和多个导电柱上形成密封物；以及在密封物上形成第二布线结构，其中，多层光刻胶包括具有不同透光率的至少两层。
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公开(公告)号：CN111180419B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910650132.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层；包封剂，设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及屏蔽结构，覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括：导电图案层，具有多个开口；第一金属层，覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口；以及第二金属层，覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN119852267A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410947408.3
申请日：2024-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 半导体封装体包括：包括第一焊盘的第一半导体芯片；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括设置在面对所述第一半导体芯片的前表面上并且与所述第一焊盘接触的第二焊盘、以及电连接到所述第二焊盘并延伸到与所述前表面相反的后表面的贯通电极；覆盖相应的第一和第二半导体芯片的至少部分且具有面对所述第一和第二半导体芯片的内表面和与所述内表面相反的外表面的介电层；以及在所述介电层的所述外表面的一部分上且电连接到所述贯通电极的隆起结构体。所述介电层包括无机颗粒和聚合物链，所述聚合物链结合到相应的无机颗粒的至少一侧并且经由所述无机颗粒朝向所述内表面和所述外表面连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119695028A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411243566.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布结构，所述再分布结构包括包含铜(Cu)的再分布层和围绕所述再分布层的绝缘层；半导体芯片，所述半导体芯片安装在所述再分布结构上并包括连接焊盘；内部连接端子，所述内部连接端子位于所述再分布结构和所述半导体芯片之间并且将所述再分布层电连接到所述连接焊盘；外部连接端子，所述外部连接端子附接在所述再分布结构下方并电连接到所述再分布层；以及密封材料，所述密封材料被配置为在所述再分布结构上围绕所述半导体芯片和所述内部连接端子。所述绝缘层包括根据下式的TC指数K为20至100的绝缘材料：[TC指数]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118231396A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311305807.1
申请日：2023-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一半导体裸片；第二半导体裸片，第二半导体裸片中的每个具有比第一半导体裸片的宽度小的宽度，并且第二半导体裸片堆叠在第一半导体裸片上；第一非导电层，在第一半导体裸片与最下面的第二半导体裸片之间；以及第二非导电层，在第二半导体裸片中的相邻第二半导体裸片之间。第二半导体裸片中的每个包括：第一基底，具有第一前表面和第一后表面；第一层间介电层，覆盖第一前表面；第一贯通电极，穿透第一基底；以及第一钝化层，覆盖第一后表面。第一凹槽在第一基底的一部分和第一钝化层中。第二非导电层在第一凹槽内。
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公开(公告)号：CN118198009A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311628295.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括：再分布基板，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并且包括多个第一光敏绝缘层和设置在所述多个第一光敏绝缘层之间的多个再分布层；至少一个半导体芯片，设置在再分布基板的第一表面上并且包括电连接到所述多个再分布层的多个接触焊盘；保护绝缘层，包括设置在再分布基板的第二表面上并且具有多个接触孔的第二光敏绝缘层、以及设置在第二光敏绝缘层的外表面和所述多个接触孔中的每个的内侧壁上的非光敏绝缘层；以及多个凸块下金属(UBM)连接器，每个UBM连接器具有设置在保护绝缘层上的UBM焊盘和设置在所述多个接触孔的相应接触孔中并且电连接到所述多个再分布层的UBM通路。
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公开(公告)号：CN110957292B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910648814.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部和通孔，所述凹入部具有设置在所述凹入部的底表面上的阻挡层，并且所述通孔贯穿所述阻挡层；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，并且设置在所述凹入部中使得所述无效表面与所述阻挡层相对；包封剂，覆盖所述框架的至少部分和所述半导体芯片的所述无效表面的至少部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及互连结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述多个布线层和所述连接焊盘的重新分布层。
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公开(公告)号：CN116031242A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210867603.6
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括：下基板；下半导体芯片，安装在所述下基板上；下模制层，位于所述下基板上并且包围所述下半导体芯片；再分布层，位于所述下模制层上；以及垂直连接端子，围绕所述下半导体芯片并且将所述下基板连接到所述再分布层。所述下半导体芯片可以包括位于其顶表面处的识别标记。所述识别标记可以包括：具有凹雕形状的标记图案，位于所述下半导体芯片的所述顶表面处；以及模制图案，填充所述标记图案的内部空间。构成所述模制图案的第一材料可以与构成所述下模制层的第二材料相同。
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