公开(公告)号：CN117894746A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311288102.3

申请日：2023-10-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄 ,  沈智慧 ,  朴俊炯

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485

Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上形成多层光刻胶；通过对多层光刻胶进行曝光和显影来在该多层光刻胶中形成多个开口；通过在多个开口中形成导电材料来形成多个导电柱；去除多层光刻胶；在第一布线结构上设置半导体芯片；在半导体芯片和多个导电柱上形成密封物；以及在密封物上形成第二布线结构，其中，多层光刻胶包括具有不同透光率的至少两层。

公开(公告)号：CN118553624A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311368065.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄 ,  朴俊炯 ,  朴志恩 ,  沈智慧 ,  李知泳

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可以包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影高透射率光致抗蚀剂而在高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口而形成多个导电柱；去除高透射率光致抗蚀剂；在第一布线结构上设置半导体芯片；形成围绕半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在密封剂上形成第二布线结构，其中在第一布线结构和高透射率光致抗蚀剂彼此接触的部分处，高透射率光致抗蚀剂的透光率大于或等于3.2％。

公开(公告)号：CN110718522B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201910574034.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄 ,  李在杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一结构，包括多个堆叠的第一半导体芯片，并通过具有不同高度的连接过孔电连接到第一重新分布层；以及第二结构，包括电连接到第二重新分布层的第二半导体芯片。所述第一重新分布层和所述第二重新分布层通过形成在所述第二结构上的电连接构件彼此电连接。

公开(公告)号：CN117855152A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311167773.4

申请日：2023-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485

Abstract: 提供一种半导体封装，该半导体封装包括：第一布线结构，包括：多个第一布线图案，分别包括多个第一下表面连接焊盘和多个第一上表面连接焊盘；第二布线结构，包括：多个第二布线图案，分别包括多个第二下表面连接焊盘和多个第二上表面连接焊盘；半导体芯片，布置在第一布线结构与第二布线结构之间；多个连接结构，将多个第一上表面连接焊盘中的一些第一上表面连接焊盘连接到多个第二下表面连接焊盘，并且与半导体芯片相邻布置；以及接合加强层，在半导体芯片的至少一部分和多个连接结构中的每一个连接结构的侧表面上。

公开(公告)号：CN110718522A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910574034.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄 ,  李在杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一结构，包括多个堆叠的第一半导体芯片，并通过具有不同高度的连接过孔电连接到第一重新分布层；以及第二结构，包括电连接到第二重新分布层的第二半导体芯片。所述第一重新分布层和所述第二重新分布层通过形成在所述第二结构上的电连接构件彼此电连接。