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公开(公告)号:CN111180419B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN201910650132.1
申请日:2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构,所述半导体封装件包括:连接结构,包括一个或更多个重新分布层;半导体芯片,设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层;包封剂,设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及屏蔽结构,覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括:导电图案层,具有多个开口;第一金属层,覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口;以及第二金属层,覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号:CN117438397A
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202310789701.7
申请日:2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 提供了半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括下结构和在下结构上的上结构。下结构包括第一半导体基板、第一焊盘和第一电介质层。第一电介质层围绕第一焊盘并暴露第一焊盘的顶表面。上结构包括第二半导体基板、第二焊盘和第二电介质层。第二电介质层围绕第二焊盘并暴露第二焊盘的底表面。第一焊盘和第二焊盘隔着界面层彼此接合以将上结构和下结构彼此联接。第一焊盘和第二焊盘以及界面层包括相同的金属材料。第一焊盘和第二焊盘具有基本上相同的平均晶粒尺寸,界面层具有与第一焊盘和第二焊盘不同的平均晶粒尺寸。
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公开(公告)号:CN111180419A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201910650132.1
申请日:2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构,所述半导体封装件包括:连接结构,包括一个或更多个重新分布层;半导体芯片,设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层;包封剂,设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及屏蔽结构,覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括:导电图案层,具有多个开口;第一金属层,覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口;以及第二金属层,覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号:CN110957292A
公开(公告)日:2020-04-03
申请号:CN201910648814.9
申请日:2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括彼此电连接的多个布线层,并且具有凹入部和通孔,所述凹入部具有设置在所述凹入部的底表面上的阻挡层,并且所述通孔贯穿所述阻挡层;半导体芯片,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面,并且设置在所述凹入部中使得所述无效表面与所述阻挡层相对;包封剂,覆盖所述框架的至少部分和所述半导体芯片的所述无效表面的至少部分,并且填充所述凹入部的至少一部分;以及互连结构,设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上,并且包括电连接到所述多个布线层和所述连接焊盘的重新分布层。
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公开(公告)号:CN110957292B
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN201910648814.9
申请日:2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括彼此电连接的多个布线层,并且具有凹入部和通孔,所述凹入部具有设置在所述凹入部的底表面上的阻挡层,并且所述通孔贯穿所述阻挡层;半导体芯片,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面,并且设置在所述凹入部中使得所述无效表面与所述阻挡层相对;包封剂,覆盖所述框架的至少部分和所述半导体芯片的所述无效表面的至少部分,并且填充所述凹入部的至少一部分;以及互连结构,设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上,并且包括电连接到所述多个布线层和所述连接焊盘的重新分布层。
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