公开(公告)号：CN118231396A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311305807.1

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄玗熠 ,  沈智慧

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一半导体裸片；第二半导体裸片，第二半导体裸片中的每个具有比第一半导体裸片的宽度小的宽度，并且第二半导体裸片堆叠在第一半导体裸片上；第一非导电层，在第一半导体裸片与最下面的第二半导体裸片之间；以及第二非导电层，在第二半导体裸片中的相邻第二半导体裸片之间。第二半导体裸片中的每个包括：第一基底，具有第一前表面和第一后表面；第一层间介电层，覆盖第一前表面；第一贯通电极，穿透第一基底；以及第一钝化层，覆盖第一后表面。第一凹槽在第一基底的一部分和第一钝化层中。第二非导电层在第一凹槽内。

公开(公告)号：CN115966471A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211234733.2

申请日：2022-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑埈溶 ,  黄玗熠

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法，该方法包括：在绝缘层上设置第一种子层，使得第一种子层包括第一金属材料；在第一种子层上设置第二种子层，使得第二种子层包括与第一金属材料不同的第二金属材料；在第二种子层上形成光刻胶图案；在光刻胶图案之间形成导电图案，导电图案包括第二金属材料，并且具有在第一方向上延伸的线形；去除光刻胶图案；蚀刻第二种子层，以形成具有在第一方向上延伸的线形的第二种子图案；以及蚀刻第一种子层，以形成具有在第一方向上延伸的线形的第一种子图案，其中，蚀刻剂包括去离子水、氟化合物、竞争化合物和腐蚀抑制剂。