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公开(公告)号：CN101477308A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810190664.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 高科技实美化学株式公社
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0007 , G03F7/027 , G03F7/033 , H01L27/1214 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法。负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和有机溶剂。该负型光刻胶组合物改善稳定性、感光度、在进行显影操作后的可分离性，并减少残留物以改善有机绝缘层的可靠性。此外，负型光刻胶组合物改善有机绝缘层的透射率并减小色坐标的变化以改善显示装置的显示质量。
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公开(公告)号：CN1892426A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610098739.6
申请日：2006-07-10
CPC classification number: G03F7/022 , G03F7/0045
Abstract: 提供光刻胶组合物、使用该光刻胶组合物形成薄膜图案的方法、以及使用该光刻胶组合物制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在一个方式中，光刻胶组合物包括碱溶性树脂、光敏化合物以及添加剂，用于在通道区域有利地提供均匀的光刻胶。
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公开(公告)号：CN1873534A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2－醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN1873530B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/32 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号：CN1936705B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610144771.3
申请日：2006-08-23
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/105 , H01L21/32139 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含约10～70％重量的含有苯酚-基聚合物的粘合剂树脂、约0.5～10％重量的光-酸发生剂、约1～20％重量的交联剂、约0.1～5％重量的染料和约10～80％重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1892426B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610098739.6
申请日：2006-07-10
CPC classification number: G03F7/022 , G03F7/0045
Abstract: 提供光刻胶组合物、使用该光刻胶组合物形成薄膜图案的方法、以及使用该光刻胶组合物制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在一个方式中，光刻胶组合物包括碱溶性树脂、光敏化合物以及添加剂，用于在通道区域有利地提供均匀的光刻胶。
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公开(公告)号：CN1873530A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号：CN1815366A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610007140.7
申请日：2006-02-05
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0007 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , H01L27/1214 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种光刻胶组合物，其包含下式所示的酚醛清漆树脂；具有式Z1－SH或SH－Z2－SH的巯基化合物(其中Z1和Z2各自是含有1～20个碳原子的烷基或烯丙基)；感光剂；及溶剂。在下式中，R1、R2、R3和R4各自是氢原子或具有1～6个碳原子的烷基，并且n是0～3的整数。
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公开(公告)号：CN101281369A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810091113.1
申请日：2008-04-02
CPC classification number: G03F7/038 , Y10S430/121 , Y10S430/123 , Y10S430/128
Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法，该光刻胶组合物包括约0.5－约20重量份的光致产酸剂、约10－约70重量份的含有羟基的酚醛清漆树脂、约1－约40重量份的交联剂、以及约10－约150重量份的溶剂，其中该交联剂包括烷氧基甲基三聚氰胺化合物。
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公开(公告)号：CN101236356A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10－70重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、0.5－10重量份的光－酸产生剂、包括至少一种式2单元的5－50重量份的溶解抑制剂和10－90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、光－酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以上结构，其中R为甲基，其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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