公开(公告)号：CN102376721A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229094.6

申请日：2011-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  李禹根 ,  崔永柱 ,  郑卿在 ,  李进元 ,  崔升夏 ,  卞喜准 ,  尹弼相

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。

公开(公告)号：CN102347335A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110208497.2

申请日：2011-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在佑 ,  李东勋 ,  赵圣行 ,  李禹根 ,  柳慧英 ,  崔永柱

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明公开了一种显示基底及其制造方法。显示基底包括：栅极线，在底基底上沿第一方向延伸；数据线，位于底基底上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸；栅极绝缘层，位于栅极线上；薄膜晶体管；以及像素电极。薄膜晶体管包括电连接到栅极线的栅极、氧化物半导体图案以及位于氧化物半导体图案上并且彼此分隔开的源极和漏极。氧化物半导体图案包括包含氧化铟的第一半导体图案以及包含无铟氧化物的第二半导体图案。像素电极电连接到漏极。

公开(公告)号：CN102270644A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110150778.7

申请日：2011-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  郑卿在 ,  李禹根

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有高的电荷迁移率且对于大面积显示器能获得均匀电特性的薄膜晶体管显示面板及其制造方法。TFT显示面板包括：栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅绝缘层，由SiNx形成在该栅电极上；第二栅绝缘层，由SiOx形成在该第一栅绝缘层上；氧化物半导体层，形成得交叠该栅电极且具有沟道部分；以及钝化层，由SiOx形成在该氧化物半导体层和该栅电极上，该钝化层包括暴露漏电极的接触孔。该接触孔具有这样的形状，其中横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN101179082A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710159648.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永旭 ,  李禹根 ,  朴正仁 ,  车连希

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G03F1/14 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。

公开(公告)号：CN1897285A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

公开(公告)号：CN1873489B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200610078289.4

申请日：2006-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  全宰弘 ,  金时烈 ,  金彰洙 ,  柳慧英

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  H01L27/00

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/3696 ,  G09G2310/0245 ,  G09G2320/043

Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。

公开(公告)号：CN1992350A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610168227.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皇甫尚佑 ,  金时烈 ,  梁成勋 ,  李禹根

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括底基板、栅电极、栅极绝缘层、表面处理层、有源层、源电极和漏电极。栅电极形成在底基板上。栅极绝缘层形成在底基板上，以覆盖栅电极。表面处理层通过用含氮气体处理栅极绝缘层而形成在栅极绝缘层上，以防止泄漏电流。有源层形成在表面处理层上，以覆盖栅电极。彼此隔开预定距离的源电极和漏电极形成在有源层上。

公开(公告)号：CN1956224A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149848.6

申请日：2006-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  周振豪

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管，其包括：基板；设置在该基板上的控制电极；设置在该控制电极上的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体件，其覆盖在所述控制电极上，并且包括第一部分非晶硅和第二部分多晶硅；接触该半导体件的输入电极；以及接触所述半导体件的输出电极。

公开(公告)号：CN1767175A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510102853.7

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  柳慧英 ,  金湘甲 ,  金彰洙

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。