公开(公告)号：CN101179082B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710159648.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永旭 ,  李禹根 ,  朴正仁 ,  车连希

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G03F1/14 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。

公开(公告)号：CN101179082A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710159648.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永旭 ,  李禹根 ,  朴正仁 ,  车连希

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G03F1/14 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。