公开(公告)号：CN102651402A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210046417.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在佑 ,  赵圣行 ,  金景燮 ,  赵东演

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种布线、一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管面板及其制造方法。薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上；半导体，位于栅极绝缘层上；漏电极和源电极，位于半导体上并且彼此分隔开。漏电极和源电极中的每个包括防止金属原子的扩散的第一金属扩散防止层和位于第一金属扩散防止层上的第二金属扩散防止层。第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的至少一个包括沿基本垂直于半导体的方向的柱状结构的晶粒。第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在沿垂直于半导体的方向上基本是不连续的。

公开(公告)号：CN102194888A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050015.5

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  延圣珍 ,  金连洪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极，形成在基板上；半导体图案，与栅电极重叠；源电极，与半导体图案的第一端重叠；以及漏电极，与半导体图案的第二端重叠且与源电极间隔开。半导体图案包括非晶多元素化合物，该非晶多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素并具有不小于1.0cm2/Vs的电子迁移率和非晶相，其中VI A族元素包括不包括氧。这样，薄膜晶体管的驱动特性得到提高。

公开(公告)号：CN102832253A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210194975.3

申请日：2012-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵圣行 ,  朴在佑 ,  金度贤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏极电极和源极电极。所述漏极电极包括在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极。所述源极电极包括在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极。第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物(GaZnO)，第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。

公开(公告)号：CN102347335A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110208497.2

申请日：2011-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在佑 ,  李东勋 ,  赵圣行 ,  李禹根 ,  柳慧英 ,  崔永柱

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明公开了一种显示基底及其制造方法。显示基底包括：栅极线，在底基底上沿第一方向延伸；数据线，位于底基底上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸；栅极绝缘层，位于栅极线上；薄膜晶体管；以及像素电极。薄膜晶体管包括电连接到栅极线的栅极、氧化物半导体图案以及位于氧化物半导体图案上并且彼此分隔开的源极和漏极。氧化物半导体图案包括包含氧化铟的第一半导体图案以及包含无铟氧化物的第二半导体图案。像素电极电连接到漏极。