公开(公告)号：CN109216328A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810705802.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  曹圭镐 ,  林汉镇

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/76221 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/152 ,  H01L29/518 ,  H01L28/56 ,  H01L23/642

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN108807345A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L23/64 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/91 ,  H01L28/40 ,  H01G4/10

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN101800220A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010002113.7

申请日：2010-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  崔在亨 ,  曹圭镐 ,  金完敦 ,  林载顺 ,  姜相列

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：CN110504219B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201910342749.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  姜相列 ,  金润洙 ,  李珍秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：CN108807345B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN113260828A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980087676.X

申请日：2019-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容宰 ,  曹圭镐 ,  尹傃玲 ,  李文根 ,  洪周焕

IPC: F25D29/00 ,  G06F3/01 ,  G06F3/0481 ,  G06F3/16

Abstract: 提供了一种家用电器及其控制方法。该家用电器包括显示器、检测门被打开还是关闭的传感器、以及至少一个处理器，该至少一个处理器配置为：控制显示器显示一个或更多个对象；以及基于由传感器感测门的打开或关闭中的至少一个，向所述一个或更多个对象提供视觉反馈。

公开(公告)号：CN110828428A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910743284.6

申请日：2019-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文孝植 ,  姜相列 ,  金恩善 ,  朴瑛琳 ,  郑圭镐 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的下电极；电介质层结构，在下电极上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；模板层，在电介质层结构上并且包括铌氧化物(NbOx，0.5≤x≤2.5)；以及上电极结构，包括在模板层上的第一上电极和第二上电极。

公开(公告)号：CN110504219A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910342749.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  姜相列 ,  金润洙 ,  李珍秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：CN110504241B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN109841622B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201810936865.7

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟泛

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。