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公开(公告)号：CN109216147B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810696992.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。
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公开(公告)号：CN107017176B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710001539.2
申请日：2017-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。
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公开(公告)号：CN108257843A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711457340.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32972 , H01J2237/327 , H01J2237/3347 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01J37/32174 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体系统包括电极和向电极提供射频(RF)功率以在电极上产生等离子体的射频(RF)功率供应单元。RF功率被提供为脉冲，该脉冲在脉冲的脉冲导通间隔期间具有谷形部分。谷形部分由谷角度和谷宽度限定。通过控制谷角度和谷宽度，等离子体可以控制基板的蚀刻。
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公开(公告)号：CN107017176A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710001539.2
申请日：2017-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32715 , H01J37/32972 , H04N5/2252 , H01L22/26 , H01J37/32917 , H01L22/10
Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。
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公开(公告)号：CN106920734A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611204971.3
申请日：2016-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32128 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32963 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/67069 , H01J37/32 , H01J37/32082 , H01J37/32137
Abstract: 一种等离子体系统，包括：源电极、RF源功率生成单元、RF源功率输出单元以及源功率输出管理单元。源功率输出管理单元基于关于连续波RF源功率的幅度的信息来确定脉冲RF源功率的幅度和占空比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391121B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201910025780.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。
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公开(公告)号：CN111211030A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910601953.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔，第二区域位于第一区域的外部；第一分布板，位于喷淋头上，并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道；以及流速控制器，位于第一分布板的第一上通道和第二上通道上。流速控制器使在第一上通道和第二上通道内的压力差减小，从而气体可以在第一注入孔和第二注入孔内具有相似的流速。
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公开(公告)号：CN110391121A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910025780.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。
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公开(公告)号：CN107979909A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710993086.6
申请日：2017-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01L21/67069 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。
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