公开(公告)号：CN108257843A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711457340.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙敏圭 ,  成德镛 ,  沈承辅 ,  郑载园 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32972 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体系统包括电极和向电极提供射频(RF)功率以在电极上产生等离子体的射频(RF)功率供应单元。RF功率被提供为脉冲，该脉冲在脉冲的脉冲导通间隔期间具有谷形部分。谷形部分由谷角度和谷宽度限定。通过控制谷角度和谷宽度，等离子体可以控制基板的蚀刻。