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公开(公告)号：CN118338674A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410038026.9
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括基板，该基板包括绝缘基板。半导体层在基板上。有源图案在半导体层上。位线设置在绝缘基板中。位线沿着平行于基板的底表面的第一方向延伸。掩埋节点接触在垂直于基板的底表面的方向上穿透半导体层。字线在平行于基板的底表面并与第一方向交叉的第二方向上穿透有源图案。有源图案可以通过掩埋节点接触连接到位线。掩埋节点接触的顶表面可以高于有源图案的底表面。
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公开(公告)号：CN112714811B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201980060067.5
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种衣物护理装置包括：主体，包括衣物护理室和布置在衣物护理室下面的机器室；蒸汽产生装置，配置为产生蒸汽；蒸汽喷射器，包括蒸汽喷射口和冷凝水出口，该蒸汽喷射口配置为从蒸汽产生装置接收蒸汽并将蒸汽喷射到衣物护理室的内部中，该冷凝水出口配置为将来自该蒸汽的冷凝水排放到衣物护理室的内部中；以及排水孔，在冷凝水出口下面提供在衣物护理室中以将衣物护理室连接到机器室，从而允许从冷凝水出口排放的冷凝水流入机器室中。
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公开(公告)号：CN118475116A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410043407.6
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：第一有源图案，其从衬底突出并在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一凹部和第二凹部，该第一凹部和第二凹部在垂直于第一方向的第二方向上与第一有源图案交叉；第一栅极结构，其在第一凹部中，并且包括第一栅极氧化物层、第一栅极图案和第一封盖图案；第二栅极结构，其在第二凹部中，并包括第二栅极氧化物层、第二栅极图案和第二封盖图案；第一金属衬里图案，其围绕第一有源图案的部分的侧壁，并且直接接触第一栅极图案的侧壁；以及第二金属衬里图案，其围绕第一有源图案的部分的侧壁，并且直接接触第二栅极图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN117320447A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310653535.8
申请日：2023-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括第一有源图案，第一有源图案在存储器单元区域中包括在基底的上部中，并且具有孤立形状，第一有源图案延伸使得与第一方向倾斜的方向是第一有源图案的长轴方向。第一器件隔离图案设置在包括在基底中的第一沟槽内，并覆盖第一有源图案的侧壁。第一栅极结构在第一有源图案和第一器件隔离图案的上部上设置在沿第一方向延伸的栅极沟槽内部。阻挡杂质区域选择性地形成在仅第一有源图案的长轴的两个侧壁的表面上。第一杂质区域和第二杂质区域设置在第一有源图案的与第一栅极结构的两侧相邻的上部上。
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公开(公告)号：CN108155173B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201711261582.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括基板，该基板包括包含单元有源区域的单元阵列区域。绝缘图案在基板上。绝缘图案包括暴露单元有源区域并且延伸到单元有源区域中的直接接触孔。直接接触导电图案在直接接触孔中并且连接到单元有源区域。位线在绝缘图案上。位线连接到直接接触导电图案并且在垂直于绝缘图案的上表面的方向上延伸。绝缘图案包括包含非金属基电介质材料的第一绝缘图案和在第一绝缘图案上的第二绝缘图案。第二绝缘图案包括具有比第一绝缘图案的介电常数高的介电常数的金属基电介质材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155147A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711224331.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/10823 , H01L27/10844 , H01L27/10876 , H01L27/10897 , H01L27/228 , H01L21/76838 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法可以包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；形成覆盖单元阵列区域并暴露外围电路区域的至少一部分的掩模图案；在由掩模图案暴露的外围电路区域上生长半导体层，使得半导体层具有与衬底不同的晶格常数；形成覆盖单元阵列区域并暴露半导体层的缓冲层；形成覆盖缓冲层和半导体层的导电层；以及图案化导电层以在单元阵列区域上形成导电线以及在外围电路区域上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN118632522A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202311546743.4
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：包含第一半导体材料的半导体衬底；在半导体衬底上的栅极结构；以及在半导体衬底和栅极结构之间的包含第二半导体材料的半导体图案。半导体图案与半导体衬底接触，栅极结构穿过半导体图案的一部分，并与半导体衬底间隔开，第一半导体材料不同于第二半导体材料。
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公开(公告)号：CN118472031A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410061328.8
申请日：2024-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括：从衬底突出的第一有源图案；栅极结构，其包括横向堆叠在第一有源图案的第一侧壁上的栅极绝缘层和栅极图案，栅极图案面向第一有源图案的第一侧壁并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；以及第一导电层图案，其接触栅极绝缘层并从栅极结构的侧壁突出。第一导电层图案可以设置为面向第一有源图案在第一方向上的第二侧壁和第三侧壁，并且第一导电层图案可以与第一有源图案间隔开。
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公开(公告)号：CN114171079A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111044466.8
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4094 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置，包括被配置为读出位线的电压变化的读出放大器，其中，读出放大器包括：读出放大器单元，其连接到位线和互补位线，被配置为响应于控制信号读出位线的电压变化，被配置为基于读出的电压变化调整读出位线和互补读出位线的电压，并且包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；以及第一偏移消除单元，其响应于偏移消除信号将位线连接到互补读出位线，并且包括布置在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间的第一偏移消除晶体管，其中，第一偏移消除晶体管与第一NMOS晶体管共享公共杂质区。
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公开(公告)号：CN107256889B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201710696917.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了晶体管、半导体器件以及半导体模块，具体提供了一种包括埋设的单元阵列晶体管的半导体器件和包括该半导体器件的电子器件。所述半导体器件包括衬底中的场区，并且场区限定了有源区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区处于有源区中。栅极沟槽处于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且处于有源区和场区中。栅极结构处于栅极沟槽内。栅极结构包括栅极电极、栅极电极上的绝缘栅极加盖图案、栅极电极与有源区之间的栅极电介质以及绝缘栅极加盖图案与有源区之间的含金属绝缘材料层。
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