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公开(公告)号：CN118431182A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311772378.9
申请日：2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置可以包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；保护层，其位于衬底的第一表面上；金属层，其在衬底中，在平行于第一表面的第一方向上延伸，并且在垂直于第一表面的第二方向上彼此间隔开；过孔结构，其竖直地穿透金属层和衬底；电路层，其位于衬底的第二表面上；以及连接端子，其位于电路层的底表面上。当在平面图中观看时，金属层中的每一个可以具有四边形形状或圆形形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116171039A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211497500.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开涉及存储器件及其制造方法。在实施例中，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第二方向上与存储单元阵列相邻。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。
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公开(公告)号：CN115810658A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210937519.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种晶体管包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极；第一杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿与第一杂质区延伸的方向交叉的方向延伸。
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公开(公告)号：CN117320447A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310653535.8
申请日：2023-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括第一有源图案，第一有源图案在存储器单元区域中包括在基底的上部中，并且具有孤立形状，第一有源图案延伸使得与第一方向倾斜的方向是第一有源图案的长轴方向。第一器件隔离图案设置在包括在基底中的第一沟槽内，并覆盖第一有源图案的侧壁。第一栅极结构在第一有源图案和第一器件隔离图案的上部上设置在沿第一方向延伸的栅极沟槽内部。阻挡杂质区域选择性地形成在仅第一有源图案的长轴的两个侧壁的表面上。第一杂质区域和第二杂质区域设置在第一有源图案的与第一栅极结构的两侧相邻的上部上。
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公开(公告)号：CN116896880A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310354489.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍图案，从基底的顶表面突出并沿第一方向延伸；第一有源层和第二有源层，在第一鳍图案上沿第一方向延伸，第二有源层设置在比第一有源层的水平高的水平处；第一栅极和第二栅极，与第一有源层和第二有源层相交，围绕第一有源层和第二有源层中的每个的上表面、下表面和相对的侧表面，并沿第二方向平行地延伸；第一接触插塞至第三接触插塞，位于由第一有源层和第二有源层形成的第一有源层结构上。第一有源层包括从第一有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸第一长度的区域，第二有源层包括从第二有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸比第一长度短的第二长度的区域。
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