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公开(公告)号:CN114497055A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202110695655.5
申请日:2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:第一导线,在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠;第二导线,在第一方向上延伸,并且与第一导线相交;以及存储器单元,分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案,半导体图案包括具有第一导电类型的源区、具有第二导电类型的漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
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公开(公告)号:CN114649333A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202111224245.9
申请日:2021-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体元件,包括设置在衬底上的多个半导体结构、第一导电图案、第一杂质区、栅极绝缘图案、第二导电图案以及第二杂质区。每个半导体结构包括具有沿第一方向延伸的线性形状的第一半导体图案和沿竖直方向从第一半导体图案的上表面突出的第二半导体图案。半导体结构沿与第二方向垂直的第一方向彼此间隔开。第一导电图案形成在第一半导体图案之间第一杂质区形成在第一半导体图案中与第二半导体图案的第一侧壁相邻的开口中第一杂质区包括杂质扩散阻挡图案和掺杂有杂质的多晶硅图案。
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公开(公告)号:CN1256484A
公开(公告)日:2000-06-14
申请号:CN99127376.1
申请日:1999-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/10009 , G11B20/1426
Abstract: 一种光盘系统的数据复制设备,包括:模拟/数字转换器(ADC),对输入RF信号进行取样;加法器,将所取样的信号和非对称纠正信号进行叠加;空白/故障检测器,产生表明空白的空白检测信号;纠正信号发生器,根据所接收的叠加信号,计算数字总值(DSV),根据所计算的DSV产生非对称纠正信号;波形均衡器,对叠加的信号进行波形均衡处理;解码器,对波形均衡信号进行解码。提高了所复制的数据的质量。
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公开(公告)号:CN114664835A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202111511511.6
申请日:2021-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11514 , H01L27/11507
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:第一字线,在竖直方向上延伸;第二字线,在第一水平方向上与第一字线间隔开,并且在竖直方向上延伸;第一半导体图案,具有围绕第一字线的环形的水平剖面并且构成第一单元晶体管的一部分;第二半导体图案,具有围绕第二字线的环形的水平剖面并且构成第二单元晶体管的一部分;单元电容器,在第一半导体图案与第二半导体图案之间并且包括第一电极、第二电极和电容器介电膜;第一位线,相对于第一半导体图案与单元电容器相对,并且在第二水平方向上延伸;以及第二位线,相对于第二半导体图案与单元电容器相对。
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公开(公告)号:CN114171079A
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN202111044466.8
申请日:2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4094 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置,包括被配置为读出位线的电压变化的读出放大器,其中,读出放大器包括:读出放大器单元,其连接到位线和互补位线,被配置为响应于控制信号读出位线的电压变化,被配置为基于读出的电压变化调整读出位线和互补读出位线的电压,并且包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管;以及第一偏移消除单元,其响应于偏移消除信号将位线连接到互补读出位线,并且包括布置在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间的第一偏移消除晶体管,其中,第一偏移消除晶体管与第一NMOS晶体管共享公共杂质区。
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公开(公告)号:CN104344184B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201410374268.1
申请日:2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F16M11/38
CPC classification number: F16M11/38 , F16M13/00 , G06F1/16 , G06F1/1632
Abstract: 在此公开了一种便携式可折叠支架。后板可旋转地结合到前板,以使后板能够从前板展开。支撑机构位于前板和后板之间,其中,支撑机构的第一端铰接到支承单元,支承单元被构造为使电子装置支撑在支承单元上。当前板和后板旋转到倾斜角度时,支承单元从前板的一侧突出。
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公开(公告)号:CN118742025A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202311503561.9
申请日:2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器装置,包括位线、在位线上彼此间隔开的第一和第二字线、在第一字线和第二字线之间的背栅电极、在第一字线和背栅电极之间的第一有源图案、在第二字线和背栅电极之间的第二有源图案、分别连接到第一有源图案和第二有源图案的接触图案、以及在第一有源图案和第一字线之间以及在第二有源图案和第二字线之间的第一栅极绝缘图案。第一栅极绝缘图案的顶表面位于与第一字线和第二字线的顶表面基本相同的高度处。第一栅极绝缘图案包括高k介电材料。
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公开(公告)号:CN117634585A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311071635.6
申请日:2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种神经网络设备,包括:(1)预处理器,被配置为基于分别对应于扫描电子显微镜(SEM)图像的频率从SE)图像中选择目标图像,并将目标图像中的每一个剪裁成多个剪裁图像;(2)神经网络处理器,被配置为通过使用被训练为检测多个剪裁图像中的每一个中的目标对象的分段模型,通过从多个剪裁图像中的每一个推断目标对象,生成剪裁检测图像;以及(3)后处理器,被配置为基于多个剪裁图像的位置信息,以与SEM图像相同的大小将剪裁检测图像彼此合并。
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公开(公告)号:CN115274667A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210412399.9
申请日:2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体存储器件包括:字线,在衬底上沿垂直方向延伸;半导体图案,在俯视图中具有围绕所述字线延伸的环形水平截面;位线,设置在所述半导体图案的第一端处;以及电容器结构,设置在所述半导体图案的第二端处。所述电容器结构包括下电极层,所述下电极层电连接到所述半导体图案的所述第二端的下电极层、具有环形水平截面并且包括沿所述垂直方向延伸的连接部。第一段从所述连接部的上端沿水平方向延伸,第二段从所述连接部的下端沿所述水平方向延伸。被所述下电极层围绕的上电极层沿所述垂直方向延伸,并且电容器介电层位于所述下电极层与所述上电极层之间。
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公开(公告)号:CN104344184A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410374268.1
申请日:2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F16M11/38
CPC classification number: F16M11/38 , F16M13/00 , G06F1/16 , G06F1/1632
Abstract: 在此公开了一种便携式可折叠支架。后板可旋转地结合到前板,以使后板能够从前板展开。支撑机构位于前板和后板之间,其中,支撑机构的第一端铰接到支承单元,支承单元被构造为使电子装置支撑在支承单元上。当前板和后板旋转到倾斜角度时,支承单元从前板的一侧突出。
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