公开(公告)号：CN118555824A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311678925.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智成 ,  金俊秀 ,  文大炫 ,  张成豪

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区；有源图案，在单元区上在第一方向和第二方向上彼此相邻，第一方向和第二方向与衬底的下表面平行并且彼此交叉；屏蔽图案，围绕有源图案的侧表面；第一隔离图案，在有源图案与屏蔽图案之间围绕有源图案；第二隔离图案，在沿第一方向相邻的有源图案之间；以及字线，在第二方向上与有源图案和屏蔽图案交叉。

公开(公告)号：CN118368888A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311374361.8

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰润 ,  金俊秀 ,  文大炫

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：沿着第一方向延伸的有源图案；以及与有源图案交叉的第一字线和第二字线。有源图案包括在第一字线与第二字线之间的中心有源部分。中心有源部分包括：中心部分，其从第一字线延伸至第二字线；第一中心突起，其在与第一方向交叉的第二方向上从中心部分的一个侧表面突出；以及第二中心突起，其在第二方向的反方向上从中心部分的另一个侧表面突出。第一中心突起从第一字线沿着第一方向延伸。第二中心突起从第二字线沿着第一方向的反方向延伸。

公开(公告)号：CN117320447A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310653535.8

申请日：2023-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知善 ,  金俊秀 ,  文大炫 ,  李南显 ,  李善行 ,  张成豪 ,  全柱炫 ,  韩俊

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括第一有源图案，第一有源图案在存储器单元区域中包括在基底的上部中，并且具有孤立形状，第一有源图案延伸使得与第一方向倾斜的方向是第一有源图案的长轴方向。第一器件隔离图案设置在包括在基底中的第一沟槽内，并覆盖第一有源图案的侧壁。第一栅极结构在第一有源图案和第一器件隔离图案的上部上设置在沿第一方向延伸的栅极沟槽内部。阻挡杂质区域选择性地形成在仅第一有源图案的长轴的两个侧壁的表面上。第一杂质区域和第二杂质区域设置在第一有源图案的与第一栅极结构的两侧相邻的上部上。