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公开(公告)号:CN113345802A
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN202110226898.4
申请日:2021-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括:提供衬底,在该衬底中,限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域;在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层;对初步图案层曝光,以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案;在第二图案上形成蚀刻停止层;以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层,以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
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公开(公告)号:CN111740012A
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:CN202010219974.4
申请日:2020-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供了形成电容器的方法、形成半导体器件的方法、形成精细图案的方法和半导体器件,该半导体器件包括:晶体管,在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上,并且具有栅极结构和杂质区域;第一层间绝缘膜,覆盖晶体管并且具有电连接到杂质区域的接触插塞;电容器,包括在第二区域中的第一层间绝缘膜上且电连接到接触插塞的下电极、覆盖下电极的表面的电介质膜、和在电介质膜上的上电极;以及支撑层,与下电极的上部侧表面接触以支撑下电极,并且延伸到第一区域,其中支撑层在第一区域和第二区域之间具有台阶。
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公开(公告)号:CN112750830A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202010939805.8
申请日:2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/41
Abstract: 提供了一种集成电路半导体装置。所述集成电路半导体装置包括:多个圆柱形结构,在基底上彼此分离;以及多个支撑件,具有暴露所述多个圆柱形结构的侧表面的开口区,所述多个支撑件与所述多个圆柱形结构的侧表面接触并且支撑所述多个圆柱形结构,其中,在竖直剖视图中,所述多个支撑件中的每个支撑件具有具备坡度的两个侧表面并且具有比底部宽度小的顶部宽度。
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