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发明公开
制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN113345802A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110226898.4

申请日：2021-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 , 李东均 , 李相晤 , 朴相在

IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/8242

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层；对初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层；以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层，以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。

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