公开(公告)号：CN109473479A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811046123.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣仁 ,  罗勋奏 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

公开(公告)号：CN106972048B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201610848720.2

申请日：2016-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相烨 ,  宋珉宇 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  洪慧理

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 制造半导体器件的方法可以包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，测量区不同于有源区；形成分别交叉第一鳍图案和第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcpd)确定第一栅电极的阈值电压。

公开(公告)号：CN113130379A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011264983.1

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  朴玄睦 ,  宋珉宇 ,  宋宇彬 ,  吴贤实 ,  李玟洙

IPC: H01L21/765 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区和器件隔离区；在衬底上形成的平板结构；氧化物半导体层，在有源区和器件隔离区中覆盖所述平板结构的顶表面并且连续地设置在衬底的顶表面上；栅极结构，设置在氧化物半导体层上并且包括栅极介电层和栅电极；以及源/漏区，设置在栅极结构的两侧并形成在氧化物半导体层中，其中当从侧横截面观察时，平板结构的延伸方向和栅极结构的延伸方向彼此交叉。

公开(公告)号：CN110364415A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910240455.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金国桓 ,  金仅祐 ,  朴正敏 ,  宋珉宇

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。

公开(公告)号：CN106972048A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610848720.2

申请日：2016-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相烨 ,  宋珉宇 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  洪慧理

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/785

Abstract: 制造半导体器件的方法可以包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，测量区不同于有源区；形成分别交叉第一鳍图案和第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcpd)确定第一栅电极的阈值电压。

公开(公告)号：CN1992261B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1992261A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1741271A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。