公开(公告)号：CN100468622C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200410082530.1

申请日：2004-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/02 ,  H01G4/00 ,  H01G4/018 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645

Abstract: 提供一种具有至少3层高-k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层。该至少3层高-k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高-k介电层。因此，由于使用至少3层高-k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。

公开(公告)号：CN1992261B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1992261A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1741271A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。

公开(公告)号：CN110047743A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN104934377B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN101241899A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008838.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  金泰范

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及布线层中具有热成型气隙的半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件的单元布线级包括：在支承层上互相分开的第一和第二布线层；大间隔，与该第一布线层相邻形成，并且包括第一气隙和形成在该支承层上的热可降解材料层的一部分，该第一气隙具有从该第一布线层的侧壁测量的预定宽度；小间隔，形成在该第一与第二布线层之间，其中该小间隔小于该大间隔，而且第二气隙至少部分地填充该小间隔；以及多孔绝缘层，形成在该第一和第二气隙上。

公开(公告)号：CN1779980A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113817.0

申请日：2005-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  权大振 ,  李钟镐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L23/485 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以及形成在复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成的单层。

公开(公告)号：CN1598981A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410082530.1

申请日：2004-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/018 ,  H01G13/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645

Abstract: 提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。

公开(公告)号：CN100573813C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610005876.0

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  ASM吉尼泰克韩国株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  刘龙珉 ,  金大渊 ,  金永勋 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。