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公开(公告)号：CN109755299B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811307372.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。
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公开(公告)号：CN112018170A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911394517.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括堆叠在基底上的沟道图案和堆叠在基底上的栅电极。沟道图案包括半导体图案。栅电极延伸以与沟道图案交叉。栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。
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公开(公告)号：CN109494251A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810670238.3
申请日：2018-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/088 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109494251B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810670238.3
申请日：2018-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/088 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。
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公开(公告)号：CN109473479B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201811046123.3
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。
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公开(公告)号：CN109755299A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811307372.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。
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公开(公告)号：CN109473479A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811046123.3
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。
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