公开(公告)号：CN1550897A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410028333.1

申请日：2004-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圣哲 ,  周振豪 ,  李有京 ,  李东基 ,  金孝烈

IPC: G03F7/012 ,  G03F7/008 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/0236 ,  G03F7/0048

Abstract: 本发明涉及一种用于MMN(多个微型喷嘴)涂布机的光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明涉及一种用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物，其包含分子量为2000～12000的酚醛清漆树脂、二叠氮光活性化合物、有机溶剂和硅基表面活性剂。本发明的用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物解决了在用于大型基底玻璃的MMN涂布机中出现的污染问题，并提高了涂层性能，因此它能够在工业上应用，并预期明显提高生产率。

公开(公告)号：CN1163797C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00126260.2

申请日：2000-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/008

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226

Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3-甲氧丁基乙酯、2-庚酮和4-丁内酯。

公开(公告)号：CN102002334A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010159530.2

申请日：2010-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜勋 ,  金载星 ,  郑壤镐 ,  周振豪 ,  郑斗喜 ,  朴正仁 ,  金时烈

IPC: C09J133/02 ,  C09J133/12 ,  C09J133/14 ,  C09J133/10 ,  C09J125/08 ,  C09J179/08 ,  C09J145/00 ,  C09J183/04 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C08F220/06 ,  C08F220/26 ,  C08F222/04 ,  C08F224/00 ,  C08G73/1067 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133719 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/133726 ,  G02F2001/133746 ,  G02F2001/133757 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/086 ,  G02F2202/022 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明提供了一种有机层组合物以及包括该有机层组合物的液晶显示器。根据一种示例性实施方式的有机层组合物包括通过使包括在第一组和第二组中的化合物共聚合而形成的粘合剂，其中第一组包括基于丙烯酰基的化合物，而第二组包括没有-COO-基团的化合物。

公开(公告)号：CN1897285A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

公开(公告)号：CN1288501C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02825525.9

申请日：2002-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东基 ,  姜圣哲 ,  李有京 ,  周振豪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0226

Abstract: 本发明涉及具有用于LCD生产方法的耐高温性的光致抗蚀剂组合物，且更具体地说，本发明涉及具有耐高温性的能够减少工艺的策略(一种方式)、工艺简化和节约费用的光致抗蚀剂组合物。本发明的组合物通过使跳过5步工艺成为可能而有利于这一特性，诸如形成金属薄膜的Cr金属沉积和整个金属表面的光/蚀刻/PR剥离/蚀刻步骤；通过用本发明的组合物取代常用的金属薄膜，使得TFT-LCD生产过程中的N+离子掺入可以因其耐高温性而进行。

公开(公告)号：CN1184534C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00126840.6

申请日：2000-09-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/022 ,  G03F7/16 ,  B05D1/40

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明提供了一种正型光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和γ-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和γ-丁内酯。

公开(公告)号：CN1432872A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02150451.2

申请日：2002-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有京 ,  姜圣哲 ,  周振豪 ,  李东基 ,  李承昱 ,  姜勋

IPC: G03F7/012 ,  G03F7/038 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0236 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5％重量至约30％重量的聚合树脂、约2％重量至约10％重量的光敏化合物、约0.1％至约10％重量的灵敏度提高剂、约0.1％重量至约10％重量的灵敏度抑制剂和约60％重量至约90％重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物，然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物，形成光致抗蚀剂层。然后，通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来，通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。

公开(公告)号：CN1432871A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02145838.3

申请日：2002-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有京 ,  姜圣哲 ,  周振豪 ,  李东基

IPC: G03F7/008 ,  G03F7/012 ,  G03F7/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。

公开(公告)号：CN1956224A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149848.6

申请日：2006-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  周振豪

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管，其包括：基板；设置在该基板上的控制电极；设置在该控制电极上的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体件，其覆盖在所述控制电极上，并且包括第一部分非晶硅和第二部分多晶硅；接触该半导体件的输入电极；以及接触所述半导体件的输出电极。

公开(公告)号：CN1306336C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02145838.3

申请日：2002-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有京 ,  姜圣哲 ,  周振豪 ,  李东基

IPC: G03F7/008 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，5-100重量份的1，2-醌二叠氮化合物，2-35重量份的含氮交联剂，0.1-10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。