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公开(公告)号：CN1052572A
公开(公告)日：1991-06-26
申请号：CN90106499.8
申请日：1987-07-03
Applicant: 得克萨斯仪器公司
IPC: H01L21/76
Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源围壕区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使得有源区的宽度损失量极小。
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公开(公告)号：CN1050458A
公开(公告)日：1991-04-03
申请号：CN90108147.7
申请日：1988-03-01
Applicant: 得克萨斯仪器公司
IPC: G11C11/405
Abstract: 在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。
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公开(公告)号：CN1047810A
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：CN90100680.7
申请日：1990-02-10
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Abstract: 一种十二面形的教育玩具(10)，在每一平面(17-28)上形成一不同的可见图形，位置敏感机构(50)在该玩具(10)内取向以通知微处理器(62)哪一个平面(17-28)处于“向上”位置。一旦玩具(10)被转动或移动，则产生一个“接通”的信号，并放出乐调，当平面(17-28)之一停在“向上”位置时，位置敏感机构(50)通知微处理器(62)，并经扬声器(44)放送对应于可见图形的声音，如果玩具(10)被扔在一边并持续一预定时间，则玩具播出一段告警声，若玩具(10)仍不被移动，则玩具自动“关断”。
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公开(公告)号：CN1043587A
公开(公告)日：1990-07-04
申请号：CN89103683.0
申请日：1989-05-22
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 罗杰·A·纳肯 , 汤姆士·C·哈罗伟 , 汤姆士·E·塔 , 魏切常 , 蒙蒂·A·道格拉斯 , 里拉·雷海特 , 里查德·A·查普曼 , 戴维·A·比尔 , 罗伯特·格罗夫III
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/76895 , H01L27/105 , H01L27/10844 , H01L27/1108 , H01L27/11543 , Y10S257/915
Abstract: 在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和护散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。
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公开(公告)号：CN1043408A
公开(公告)日：1990-06-27
申请号：CN89108268.9
申请日：1989-10-28
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 凯利帕特纳姆·维维克·罗 , 吉姆斯·L·佩塔森
IPC: H01L27/04 , H01L29/788 , H01L21/82
Abstract: 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面，本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的，这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶，然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1038706A
公开(公告)日：1990-01-10
申请号：CN89101512.4
申请日：1989-03-16
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 拉里·J·霍恩贝克
IPC: G02F2/00
CPC classification number: G09F9/372 , G02B26/0841
Abstract: 一种可静电偏转的偏转片式空间光调制器，它具有偏转片(30)、寻址电极(42，46)和着陆电极(40，41)可保证偏转片在着陆电极(40，41)上软着陆，它给出均匀的大角度偏转外加高的可靠性。
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公开(公告)号：CN1005668B
公开(公告)日：1989-11-01
申请号：CN85103830
申请日：1985-05-11
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Abstract: 动态单晶体管读/写存储单元采用槽式电容器，以增加电荷存储量。槽蚀刻在与N+位线相似的扩散N+电容器层的硅片表面上，然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜，而不是在槽中；在达到最大槽深的最终蚀刻之前，利用在部分蚀刻之后随之再生长一层氧化膜的方法来减小掏蚀的影响。电容器的阳极扩展到槽中，并在硅小片的整个表面上构成场极电极隔层的一层多晶硅。难熔金属字线在多晶硅场极电极中的窗口上构成存取晶体管的栅。
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公开(公告)号：CN1003680B
公开(公告)日：1989-03-22
申请号：CN85108184
申请日：1985-10-30
Applicant: 得克萨斯仪器公司
Inventor： 帕特里克·W·鲍夏特
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F12/126 , G06F12/0864 , G06F12/1045
Abstract: 一种可由实地址及虚地址寻址的高速缓冲存贮器包括高速缓冲数据存贮器[64]及标记存贮器[66]。标记存贮器[66]包括虚标记存贮器[68]及实标记存贮器[70]。实标记存贮器及虚标记存贮器都可用地址信号的最低有效位(LSB)寻址以输出与存贮在高速缓冲数据存贮器[64]内的数据相连系的地址的标记部分。开关[78]在存贮器[68]及[70]的输出间选择，并由裁决单元[88]控制。
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公开(公告)号：CN87104640A
公开(公告)日：1988-01-27
申请号：CN87104640
申请日：1987-07-03
Applicant: 得克萨斯仪器公司
IPC: H01L21/94 , H01L21/314 , H01L21/471
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/76235 , Y10S148/05
Abstract: 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽绝缘工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使电有源区的宽度损失量极小。
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公开(公告)号：CN86105419A
公开(公告)日：1987-04-29
申请号：CN86105419
申请日：1986-08-27
Inventor： 罗伯特·S·布莱克伍德 , 雷克斯·L·比格斯塔夫 , L·戴维斯·克莱门茨 , C·林·克利夫林
IPC: H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/70 , C23F1/00 , B08B5/00
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 从衬底上去除至少部分薄膜的方法，保持环绕 衬底的大气在接近室温和通常大气压力下，在衬底 上通入干燥惰性稀释气体，通过通入水蒸汽覆盖衬 底和薄膜来预处理薄膜，在衬底上通入来自与水蒸 汽发生源分开的发生源的水蒸汽和无水氟化氢气 体，继续通入反应气体流，大多数情况为5至30秒，直 至去除控制量的薄膜，终止反应气体流并继续通入 干燥惰性稀释气体，终止薄膜去除。
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