公开(公告)号：CN1005668B

公开(公告)日：1989-11-01

申请号：CN85103830

申请日：1985-05-11

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 戴维·A·巴格利 ,  罗纳德·帕克

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  G11C11/24

Abstract: 动态单晶体管读/写存储单元采用槽式电容器，以增加电荷存储量。槽蚀刻在与N+位线相似的扩散N+电容器层的硅片表面上，然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜，而不是在槽中；在达到最大槽深的最终蚀刻之前，利用在部分蚀刻之后随之再生长一层氧化膜的方法来减小掏蚀的影响。电容器的阳极扩展到槽中，并在硅小片的整个表面上构成场极电极隔层的一层多晶硅。难熔金属字线在多晶硅场极电极中的窗口上构成存取晶体管的栅。

公开(公告)号：CN85103830A

公开(公告)日：1986-11-05

申请号：CN85103830

申请日：1985-05-11

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 戴维·A·巴格利 ,  罗纳德·帕克

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  G11C11/40 ,  G11C11/24

Abstract: 动态单晶体管读/写存储单元采用槽式电容器，以增加电荷存储量。槽蚀刻在与N+位线相似的扩散N+电容器层的硅片表面上，然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜，而不是在槽中；在达到最大槽深的最终蚀刻之前，利用在部分蚀刻之后随之再生长一层氧化膜的方法来减小掏蚀的影响。电容器的阳(板)极是扩展到槽中，并在硅条的整个表面上构成场极电极隔层的一层多晶硅。难熔金属字线在多晶硅场极电极中的孔上构成存取晶体管的栅。